2024 Fiscal Year Comments on the Screening Results

シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生

Research Project

Project/Area Number	24H00312
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Shizuoka University
Principal Investigator	小野行徳静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80374073)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	堀匡寛静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (50643269)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2028-03-31
Scientific Significance and Expected Research Achievements	電子-電子散乱効果が現れる電子流体状態を利用して、既存半導体デバイスの持つ散逸によるエネルギー効率の限界突破を目指す点が、独創性に富み、かつパラダイムシフトが期待される。基本原理開拓を志す内容に、学術的重要性が読み取れる。