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2024 Fiscal Year Comments on the Screening Results

次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発

Research Project

Project/Area Number 24H00407
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
Research InstitutionKyushu University

Principal Investigator

吾郷 浩樹  九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (10356355)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 碇 智徳  宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (40419619)
原 正大  熊本大学, 大学院先端科学研究部(理), 准教授 (50392080)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2028-03-31
Scientific Significance and Expected Research Achievements

hBN多層膜に着目し、高移動度の遷移金属ダイカルコゲナイドを作製しようとする点で革新性の高さが認められ、かつ、機能性テープによる転写技術など、具体性と根拠のある研究計画となっている。次世代デバイスの創製に寄与できる点も高く評価できる。

URL: 

Published: 2024-07-04  

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