窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

2024 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 24H00425
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 末光 哲也 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90447186)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 重川 直輝 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 (60583698) ; 大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 特任研究員 (80243129) ; 高橋 琢二 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20222086)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31

Scientific Significance and Expected Research Achievements

窒化物の極性を利用して同一基板上にn型とp型のトランジスタを形成させる手法の開発は学術的にも応用的にも独自性が高い。CMOS応用を視野に入れており、成功した際の波及効果も大きい。