2014 Fiscal Year Annual Research Report
相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現
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25246028
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
渡部 平司 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90379115)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | 表面・界面物性 / 界面反応 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
当初の研究計画に従って、以下の研究成果を得た。①溶融成長Geワイヤの電気特性評価や高移動度Geトランジスタ実現へのキーテクノロジーとなるNiGe低抵抗コンタクト形成技術に関する研究成果を当該領域を代表する学術誌（Applied Physics Letters）にそれぞれ発表した。②溶融成長法で形成した高品質GeSn材料の光学特性評価を継続し、直接遷移発光を確認すると共に、国内国際学会での成果発表を進めた。③溶融成長GeSnワイヤをチャネルとしたバックゲートトランジスタを作製し、そのスイッチング動作を確認した。④GeやGeSnワイヤの溶融成長機構を詳細な結晶方位解析から検討した。⑤フレキシブル基板への展開を視野に入れ、石英基板上でのGeSn溶融成長実験に着手し、高い発光効率を実証した。⑥高移動度Ge-CMOSデバイスの作製にNiGeコンタクト技術を応用し電気膜厚1nm以下の極薄High-k/Geスタックを有したGe-CMOSトランジスタ動作に成功した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
溶融成長法で作製した引張り歪み印加GeSnからの直接遷移発光を確認すると共に、高移動度Geチャネルトランジスタにおいても極薄絶縁膜を有したCMOSトランジスタ動作に成功するなど、大きな進展がみられた。
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| Strategy for Future Research Activity |
溶融成長法で作製したGeSn等のⅣ族混晶半導体材料の光物性は、基礎科学の観点からも極めて興味深い研究テーマであり、さらに詳細な光物性の評価解析を継続する。一方、次年度以降ではフレキシブル基板への応用展開を加速し、透明フレキシブル基板上に作製した溶融成長Ⅳ族混晶材料の光電子物性の解析や、デバイス試作への活動を強化する。
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