2015 Fiscal Year Annual Research Report
LSIライフサイクル全般の信頼性向上のための組込み自己テストに関する研究
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25280015
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| Research Institution | Nara Institute of Science and Technology |
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Principal Investigator |
井上 美智子 奈良先端科学技術大学院大学, 情報科学研究科, 教授 (30273840)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
米田 友和 奈良先端科学技術大学院大学, 情報科学研究科, 助教 (20359871)
大和 勇太 奈良先端科学技術大学院大学, 情報科学研究科, 助教 (20707244)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | LSI信頼性 / 組み込みメモリ / IRドロップ / 組み込み自己テスト |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成２７年度は、1. 論理BISTにおけるテストデータ量およびテスト時間の最適化、2. テスト時の電圧ノイズ軽減、3. 組み込みメモリの信頼性向上に取り組んだ。
1. 論理BISTにおけるテストデータ量およびテスト時間の最適化：論理BIST時のテストデータ量およびテスト時間削減手法として、重み付きランダムパターン生成法、リシード法などが提案されている。本研究では、重み付きランダムパターン生成法のテストデータ量を削減する手法を提案し、さらにリシード法を組み合わせることで、テストデータ量およびテスト時間を削減する手法を提案した。
2. テスト時の電圧ノイズ軽減法：テスト時の電圧ノイズであるIRドロップを高速に見積もる手法の改善を行い、研究成果の発表の準備段階である。また、電圧ノイズ等に起因する微小な遅延発生時の回路動作を高速にシミュレーションする手法を提案した。
3. 組み込みメモリの信頼性向上：ECC機能と自己テスト・自己修復手法を組み合わせた組み込みメモリの高信頼アーキテクチャを提案した。前年度、メモリセルの状態として、正常、故障の２状態を考慮し、ECCによる謝り訂正と自己修復をフィールド運用時にアダプティブに組み合わせ信頼性を向上させる手法を提案したが、今年度は、メモリセルの状態を、正常、劣化、故障の３状態を考慮し、メモリの信頼ををさらに高める手法を提案した。
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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