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2015 Fiscal Year Annual Research Report

非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開

Research Project

Project/Area Number 25286048
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

石谷 善博  千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60291481)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 篠塚 雄三  和歌山大学, システム工学部, 教授 (30144918)
矢口 裕之  埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (50239737)
Project Period (FY) 2013-04-01 – 2017-03-31
Keywordsフォノン / 励起子 / 量子井戸 / 太陽電池 / 発光デバイス / 時間分解PL
Outline of Annual Research Achievements

平成27年度は以下の成果が得られた。理論では、非熱平衡状態のGaNの励起子ダイナミクスを水素原子モデルに基づいて、フォノンの吸放出効果を取り入れた衝突・フォノン・輻射モデルを構築して数値シミュレーションを行った。この結果、励起子では2以上の主量子数p状態を取り入れることにより、格子温度100K程度から励起子解離が急速に進むことが分かり、レーザデバイスで報告された150K程度でGaNの励起子の多くが消失している結果を説明できることが分かった。過渡応答に関する計算では、キャリア励起直後50ps程度の発光の立ち上がりからフォノンの局在状態が評価できることが分かった。実験では、GaN結晶中の励起子の時間分解フォトルミネッセンス測定においてp=2からの発光を解析に入れることにより、高次主量子数状態の励起子温度はp=1の状態の励起子温度より高く、励起後300ps程度の経過後も熱平衡化していないことが分かった。また、この状態でも励起子発光線エネルギーの励起子温度への依存性はなく、励起レーザパルスにより導入されたエネルギーはフォノンを介して高速に励起子運動エネルギーや主量子数状態の励起に使われ、フォノンとしての存在確率は小さいと予測された。局在準位については、GaNの深い準位について、266nmと400nmの2パルス光による励起下での時間分解PL測定を行い、2種の欠陥準位の存在を明らかにし、電子捕獲過程およびフォノン放出過程について理解を進めた。量子井戸からのキャリア放出については、アンドープのAlInP/GaInP‐量子井戸構造においてパルス励起後の時間分解PLおよびフォトカレント(PC)の同時時間分解測定により解析が行われた。その結果、バイアス電圧、励起波長、励起強度を変えることにより量子井戸からのキャリア放出過程・フォノン過程を解析できることが分かった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

非熱平衡状態のバルクおよび量子井戸中のキャリア・励起子ダイナミクスが進んだ。励起子では、非熱平衡状態のダイナミクスについて理論および実験からフォノンと電子系の相互作用の実態が明らかになってきた。量子構造では電流と発光の同時時間分解測定が行われた。本予算における研究項目についておおよそ検討が進んでいる。

Strategy for Future Research Activity

発光素子ではGaN系量子井戸の時間分解分光を欠陥密度の異なる試料で行う。励起波長の選択によりフォノン生成量が変わるとダイナミクスが大きく変わることがH27年度の研究で分かっており、欠陥量によるフォノン散逸速度の変化を観測する。また、バリア組成のことなるAlGaN/GaN系量子井戸構造によりフォノンの輸送効果の解明を進め、高効率発光に対するフォノン制御の方針を提案する。
太陽電池関係では、GaInN系量子井戸について、励起条件やバイアス条件などの制御による量子井戸外への電流取り出し量の変化を観測し、フォノンとの相互作用が増えることによる太陽電池特性の向上度について定量的予測を行う。現在の高効率太陽電池材料であるGaInP系半導体については、pn接合された量子井戸構造について、検討を行い、電子エネルギーバンドとフォノンバンドの両方を考慮した電流取り出し特性の解釈を行い、フォノン制御による太陽電池特性の向上について提案を行う。

Causes of Carryover

各費目の実支出と予定との少量の誤差がでたため。

Expenditure Plan for Carryover Budget

残額は、平成27年度で予定額より支出の少なかった消耗品に充てる予定である。

  • Research Products

    (31 results)

All 2016 2015 Other

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results,  Acknowledgement Compliant: 7 results) Presentation (23 results) (of which Int'l Joint Research: 10 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Excitation and de-excitation dynamics of excitons in a GaN film based on the analysis of radiation from high-order states2016

    • Author(s)
      Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, and Ken Morita, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu
    • Journal Title

      Journal of Physics D

      Volume: 49 Pages: 245102-1,3

    • DOI

      10.1088/0022-3727/49/24/245102

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics in GaN based on hydrogen plasma model2016

    • Author(s)
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FM06-1,6

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.05FM06

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2016

    • Author(s)
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FH02:1-6

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.05FH02

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys:Wurtzite structure2016

    • Author(s)
      Ayaja Kishi, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 051202:1-7

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.051202

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Zincblende structure2015

    • Author(s)
      Yuzo Shinozuka and Masato Oda
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 54 Pages: 091202:1-6

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.091202

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials2015

    • Author(s)
      T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji,
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 54 Pages: 08KA07

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.08KA07

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Control of intermediate-band configuration in GaAs:N δ-doped2015

    • Author(s)
      K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji,Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 54 Pages: 08KA04

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.08KA04

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model2016

    • Author(s)
      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      Compound Semiconductor Week
    • Place of Presentation
      Toyama
    • Year and Date
      2016-06-26 – 2016-06-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 高次励起準位を用いたGaNにおける励起子の励起・脱励起ダイナミクス解析2016

    • Author(s)
      竹内和真、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析2016

    • Author(s)
      岩堀友洋、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 赤外反射分光によるGaN薄膜の電子特性深さ分解評価手法2016

    • Author(s)
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] IQB理論によるII-VI族化合物半導体の電子状態の計算2016

    • Author(s)
      藤本徳明,小田将人,篠塚雄三
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2015

    • Author(s)
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • Place of Presentation
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • Year and Date
      2015-11-08 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN2015

    • Author(s)
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • Place of Presentation
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • Year and Date
      2015-11-08 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state2015

    • Author(s)
      Bei Ma, Kazuma Takeuchi, and Yoshihiro Ishitani
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • Place of Presentation
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • Year and Date
      2015-11-08 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] GaNにおけるフォノン-キャリアダイナミクス解析2015

    • Author(s)
      馬ベイ, 竹内 和真、岩堀 友洋、三宅 秀人、平松 和政、石谷 善博
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算2015

    • Author(s)
      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 赤外反射分光による GaN の電子深さ特性評価手法2015

    • Author(s)
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析2015

    • Author(s)
      宮崎 貴史, 八木 修平, 矢口 裕之
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究2015

    • Author(s)
      吉川 洋生, 八木 修平, 矢口 裕之
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 混晶化合物半導体のIQB modelによる電子状態計算:III-V(ZB)2015

    • Author(s)
      岸 彩香,小田将人,篠塚雄三
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理計算2015

    • Author(s)
      辻尾健志、小田将人、篠塚雄三
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped2015

    • Author(s)
      S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki,
    • Organizer
      5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental
    • Place of Presentation
      (Hsinchu, Taiwan
    • Year and Date
      2015-09-08
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Numerical analysis of ion impurity effect on energy relaxation processes of carriers and excitons in GaN2015

    • Author(s)
      B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • Organizer
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijin, China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Epitaxial relationship of GaN grown on GaAs (110) by RF-molecular beam2015

    • Author(s)
      T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. Kuboya, R. Katayama, and
    • Organizer
      11th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijin, China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001)2015

    • Author(s)
      S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya and H. Yaguchi
    • Organizer
      11th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijin, China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ELECTRONIC STATES OF ZINC-BLENDE NITRIDE ALLOYS CALCULATED BY IQB MODEL2015

    • Author(s)
      Yuzo Shinozuka and Masato Oda
    • Organizer
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijin, China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ELECTRONIC STATES OF WURZIDE NITRIDE ALLOYS CALCULATED BY IQB MODEL2015

    • Author(s)
      Ayaka Kishi and Yuzo Shinozuka
    • Organizer
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijin, China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 赤外反射分光によるGaNの電子密度深さ不均一性評価手法2015

    • Author(s)
      上條 隆明, 馬 蓓, 森田 健, 石谷 善博
    • Organizer
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • Place of Presentation
      東北大学
    • Year and Date
      2015-05-07 – 2015-05-08
  • [Presentation] GaNにおける定常状態励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算2015

    • Author(s)
      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • Organizer
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • Place of Presentation
      東北大学
    • Year and Date
      2015-05-07 – 2015-05-08
  • [Remarks] 千葉大学工学部電気電子工学科 光エレクトロニクス研究室

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

URL: 

Published: 2017-01-06  

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