2015 Fiscal Year Annual Research Report
異方ストレス印加技術を用いた表面物性の制御と新奇ナノ構造の創製
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25286061
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| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
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Principal Investigator |
朝岡 秀人 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, 研究主席 (40370340)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山田 洋一 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 講師 (20435598)
田口 富嗣 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 (50354832)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 結晶成長 / 表面・界面物性 / MBE、エピタキシャル / 自己組織化 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
次世代ナノテクノロジーを担う低次元系量子構造を実現する自己組織化技術が求められている。しかし、この技術をもとにデバイスを実現するためには個々のナノ構造の形成位置・サイズ・形状の揺らぎを、高精度に制御する必要がある。表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程のカイネティクスを大きく変化させるとともに、デバイス特性を決定するため、表面ストレスの制御がナノ構造の制御のために有力な手段となる。ストレス計測による成長カイネティクスを解明するとともに、ストレスを制御し、新奇ナノ構造を創製する。これらの知見に基づき、新規量子デバイス実現に向けた設計指針を提案する事を目的とする。
27年度においては、異方ストレス印加技術を活用し、ストレスと再構成構造との関連を評価した。またSi(111)再構成構造のストレスを求める試みとして、清浄Si(111)再構成構造表面上への原子状水素供給により、バルク構造を有する水素終端Si(111)表面構造を作成し、再構成構造に起因するストレスを実験的に捉えることに成功した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
計画通り、異方ストレス印加技術を活用し、ストレスと再構成構造との関連を評価した。またSi(111)再構成構造のストレスを求める試みとして、清浄Si(111)再構成構造表面上への原子状水素供給により、バルク構造を有する水素終端Si(111)表面構造を作成し、再構成構造に起因するストレスを実験的に捉えることに成功したため。
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| Strategy for Future Research Activity |
当初の予定通り、異方ストレス印加技術を活用し、ストレスと再構成構造との相関関係の解析を行うとともに、ストレス操作によるナノ構造制御を試みる。
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| Causes of Carryover |
表面処理法の簡易化、異方ストレス印加機構の自作など実験の効率化を行い、次年度のストレス操作によるナノ構造制御実験に備えたため。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
前年度未使用額とあわせて、異方ストレス印加技術を活用したナノ構造制御実験費として使用する。
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Research Products
(10 results)
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[Journal Article] Measurement of transient photo-induced changes in thin films at J-PARC - time-resolved neutron reflectivity measurement of silver photo-diffusion into Ge-chalcogenide films-2015
Author(s)
Y. Sakaguchi, H. Asaoka, Y. Uozumi, Y. Kawakita, T. Ito, M. Kubota, D. Yamazaki, K. Soyama, M. Ailavajhala, K. Wolf, M. Mitkova, M. W. A. Skoda
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Journal Title
J. Phys. Soc. Jpn.
Volume: 8
Pages: 031023
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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[Journal Article] Dynamics of silver photo-diffusion into Ge-chalcogenide films: time-resolved neutron reflectometry2015
Author(s)
Y. Sakaguchi, H. Asaoka, Y. Uozumi, Y. Kawakita, T. Ito, M. Kubota, D. Yamazaki, K. Soyama, M. Ailavajhala, M. R. Latif, K. Wolf, M. Mitkova, M. W. A. Skoda
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Journal Title
J. Phys.: Conf. Ser.
Volume: 619
Pages: 012046
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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[Presentation] Processes of silver photo-diffusion into Ge-chalcogenides probed by neutron reflectivity technique2015
Author(s)
Y. Sakaguchi, H. Asaoka, Y. Uozumi, Y. Kawakita, T. Ito, M. Kubota, D. Yamazaki, K. Soyama, Gaurav Sheoran, M. Mitkova
Organizer
26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS26)
Place of Presentation
Aachen, Germany
Year and Date
2015-09-13 – 2015-09-18
Int'l Joint Research
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