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2015 Fiscal Year Annual Research Report

プラズマ微細加工におけるナノ揺らぎ制御に係わるプラズマ科学の創成

Research Project

Project/Area Number 25286080
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

関根 誠  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80437087)

Project Period (FY) 2013-04-01 – 2016-03-31
Keywordsプラズマ加工 / プラズマ化学 / 凹凸
Outline of Annual Research Achievements

プラズマ微細加工におけるナノ揺らぎ制御に関わるプラズマ科学の創成を目指す上で、プラズマからのイオン・ラジカル・光のナノ揺らぎ発生に与える効果を解明することを目的に進めている。そのため、プラズマビーム装置を用いて反応性プラズマ内で生じるイオン・ラジカル・光を独立に制御して、試料に照射し、試料表面で生じるイオン・ラジカル・光の個別ならびに相乗的な反応を解析した。試料表面は、表面プローブ顕微鏡による凹凸形状の変化の観察、X線光電子分光や赤外分光による化学組成・結合変化について解析した。これまで、フルオロカーボンガスについての研究を進めて来たが、一昨年度から新たにCl2やHBrガスを使用した反応性プラズマとの間で生じる表面反応解析に取り組んでいる。プラズマから表面に照射されるイオン・ラジカル・光の照射量を定量することができるようになり、凹凸周期に関するパワースペクトル密度解析の結果、サブナノメータレベルの凹凸形成にはイオン照射が影響し、100nmレベルのラフな凹凸形成には光照射や熱による機械的な変形に起因していることが見いだされた。Siのエッチングで使用されるHBrのプラズマ発光に着目し、真空紫外領域の紫外線発光のドーズに応じて化学構造変化が見られていて、それに関連して凹凸形成も見られることが分かっている。ナノスケールエンジニアリングした微細加工を実現するため温度変化の影響を最低限に抑えて、プラズマと表面の相互作用に関わる化学反応と材料損傷の定量解析が進められた。

Research Progress Status

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Causes of Carryover

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Expenditure Plan for Carryover Budget

27年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (6 results)

All 2016 2015

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (2 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Real-time temperature-monitoring of Si substrate during plasma processing and its heat-flux analysis2016

    • Author(s)
      Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • Journal Title

      Japan. J. Appl. Phys.

      Volume: 55 Pages: 01AB04

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.01AB04

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Feedback Control System of Wafer Temperature for Advanced Plasma Processing and its Application to Organic Film Etching2015

    • Author(s)
      Takayoshi Tsutsumi, Yusuke Fukunaga, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • Journal Title

      IEEE Trans Semiconductor manufacturing

      Volume: 28 Pages: 515-520

    • DOI

      10.1109/TSM.2015.2470554

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Suppression of plasma-induced damage on GaN etched by a Cl2 plasma at high temperatures2015

    • Author(s)
      Zecheng Liu, Jialin Pan, Takashi Kako Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • Journal Title

      Japan. J. Appl. Phys.

      Volume: 54 Pages: 06GB04

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.06GB04

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electronic properties of HBr, O2 and Cl2 used in Si etching2015

    • Author(s)
      Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • Journal Title

      Japan. J. Appl. Phys.

      Volume: 54 Pages: 06GA03

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.06GA03

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Low-Damage Etching Technology for Nitride Semiconductor Devices2015

    • Author(s)
      Makoto Sekine
    • Organizer
      Plasma Science and Technology, AVS 62nd International Symposium & Exhibition
    • Place of Presentation
      the San Jose Convention Center, San Jose, CA
    • Year and Date
      2015-10-21 – 2015-10-21
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Reactive species in atmospheric pressure Ar plasma and their effect on yeast cells2015

    • Author(s)
      Makoto Sekine
    • Organizer
      International Workshop for Bio & Medical Applications of Plasma Science
    • Place of Presentation
      Josef Stefan Institute, Slovenia
    • Year and Date
      2015-09-29 – 2015-09-29
    • Int'l Joint Research / Invited

URL: 

Published: 2017-01-06  

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