2015 Fiscal Year Annual Research Report
イオンビーム誘起CVD技術の高度化とSiCヘテロエピ成長への応用
| Project/Area Number |
25287154
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
吉村 智 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40294029)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木内 正人 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域 無機機能材料研究部門, 主任研究員 (50356862)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
|
| Keywords | SiC / イオンビーム / CVD |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、以下の３つの研究成果を得ることができた。
（１）これまでナノレベルの立体構造形成や磁気媒体の開発などに使われてきたイオンビーム誘起CVD法の技術を、シリコンカーバイド（SiC）のヘテロエピ成長に応用することを試みた。メチルシランやジメチルシランを原料ガスに用いて、シリコン基板にSiCを成長させる実験を行った。基板温度は、600～800度とした。その結果、メチルシランを用いた場合に、イオンビームの効果によりSiCの成長が促進されることを確認した。ジメチルシランの場合には、現時点ではイオンビームの明確な効果を発見するに至っていない。
（２）SiCの成膜においては、通常はシランガスが用いられる。シランは爆発性の高い、極めて危険なガスである。そこで我々は、ヘキサメチルジシランを用いたSiC成膜プロセスを提案している。ヘキサメチルジシランは、シランよりもずっと可燃性が低く、比較的安全な原料である。この実験では、フリーマン型イオン源内でヘキサメチルジシランを解離することによってできるフラグメント種を調べた。その結果、SiC成膜への応用が期待できるフラグメント、SiCH4が生成されていることを明らかにした。
（３）ヘキサメチルジシランを解離してできた各種のフラグメントから、SiCH4のみを質量分離により抽出し、約100eVのイオンビームを作成する実験を行った。また、このイオンビームを800℃のシリコン基板に照射する実験も行った。得られたサンプルを分析した結果、3C-SiC膜が堆積していることを確認した。
|
| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
