2013 Fiscal Year Annual Research Report
Ｓｉプラットフォームにおける絶縁分離型ＧｅＳｎ結晶の非熱平衡固相成長
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25289089
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
宮尾 正信 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 特任教授 (60315132)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 准教授 (20274491)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 電気・電子材料 / 半導体 / Si系ヘテロ半導体 |
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| Research Abstract |
本研究では、LSI性能の飛躍的向上を目指し、Ge中におけるSnの熱平衡固溶度の壁を打破する非熱平衡GeSnプロセスの研究を行う。次に、その知見を絶縁膜上におけるGeSn横方向成長に展開し、Si基板と絶縁分離したGeSn-on-Insulator構造を創出する。今年度は、３年計画の１年度として、下記研究をおこなった。
① 非熱平衡GeSnプロセスの構築
GeSnの低温成長をベースとした非熱平衡プロセスを研究した。a-Ge/Sn/c-Ge構造、a-GeSn/c-Si構造、a-GeSn/c-Ge構造等の結晶成長様態を検討し、熱平衡固溶度を超えるSn濃度を有するGeSn結晶を実現すると共に、その成長機構を明らかにした。
② GeSn層の評価
前項で形成したGeSnの電気特性及び結晶性の評価を行った。その結果、形成層はp型伝導を示すこと、成長界面で格子定数差に起因した欠陥が存在するもの、成長層内部では高い結晶性を有することを明らかにした。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
綿密な実験計画を立てて研究を推進しているので、おおむね順調に進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
現在までほぼ計画通りに進行しているので、特に研究計画の変更は考えていない。
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| Expenditure Plans for the Next FY Research Funding |
当初、高額な触媒金属を用いて結晶成長の実験を推進する予定であったが、実験を進めたところ、安価な触媒金属で、十分な結晶成長特性が得られることが判明したたため、物品費が減額した。また、実験装置の自動化を進めた結果、実験補助を雇用すること無く、計画通りの実験が可能となり、人件費・謝金の支出が抑制できた。
以上の理由により、次年度使用額が生じた。
次年度使用額を活用し、次年度は、実験装置に改良を加え、実験のターンアラウンドタイムの短縮を図る。これにより、研究を加速し、研究目標の確実な達成を目指す。
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