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2015 Fiscal Year Annual Research Report

シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究

Research Project

Project/Area Number 25289098
Research InstitutionUniversity of Toyama

Principal Investigator

小野 行徳  富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授 (80374073)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 土屋 敏章  島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (20304248)
堀 匡寛  静岡大学, 電子工学研究所, 講師 (50643269)
Project Period (FY) 2013-04-01 – 2016-03-31
Keywords電子正孔再結合 / チャージポンピング / 電子スピン共鳴
Outline of Annual Research Achievements

前年度に、電子スピン共鳴の電気的読み出し技術であるElectrically detected magnetic resonance(EDMR)の高感度測定系を立ち上げ、これをもとにプラチナドープPN接合の再結合過程を調べ、スピンの緩和過程の観測したことを受け、同成果を国際会議(AWAD2015)にて発表した。
また、この結果をもとに、EDMRをチャージポンピング過程に適用し、深い準位による電荷転送のEDMR観測にも成功した。同結果は、電荷の高精度転送のみならず、スピン偏極電子の高精度転送にも道を拓くものである。
一方、砒素ドープシリコンの電子スピン共鳴信号を詳細に調べ、砒素ドナーは、リン、アンチモン、ビスマスなどの他のドナーと異なり、低温で常磁性化しにくい(スピン対を作り易い)ことを強く示唆する結果を得られた。同結果は、スピン相関を有する電子対の高精度転送に道を拓くものであり、本課題から派生した新知見であるということができる。

Research Progress Status

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Causes of Carryover

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Expenditure Plan for Carryover Budget

27年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (9 results)

All 2015

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results,  Acknowledgement Compliant: 3 results) Presentation (6 results) (of which Int'l Joint Research: 6 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Fabrication and single-electron-transfer operation of a triple-dot single-electron transistor2015

    • Author(s)
      M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 118 Pages: 214305_1-6

    • DOI

      10.1063/1.4936790

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Electrical activation and electron spin resonance measurements of arsenic implanted in silicon2015

    • Author(s)
      M. Hori, A. Fujiwara, M. Uematsu, Y. Ono
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 106 Pages: 142105_1-4

    • DOI

      10.1063/1.4917295

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping2015

    • Author(s)
      T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
    • Journal Title

      IEICE Trans. Electron.

      Volume: E98-C Pages: 390-394

    • DOI

      10.1587/transele.E98.C.390

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its turnstile operation2015

    • Author(s)
      M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi
    • Organizer
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
    • Place of Presentation
      Toyama International Conference Center, Toyama
    • Year and Date
      2015-11-10 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators2015

    • Author(s)
      T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono
    • Organizer
      8th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
    • Place of Presentation
      Toyama International Conference Center, Toyama
    • Year and Date
      2015-11-10 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction2015

    • Author(s)
      Y. Nishiuchi, K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono
    • Organizer
      Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction
    • Place of Presentation
      Jeju Island, Korea
    • Year and Date
      2015-07-01 – 2015-07-03
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ESR measurements of As donor electrons in silicon2015

    • Author(s)
      M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
    • Organizer
      The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
    • Place of Presentation
      TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan
    • Year and Date
      2015-06-16 – 2015-06-19
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Charge pumping by point defects - Towards ultimate control of recombination in silicon2015

    • Author(s)
      Y. Ono M. Hori
    • Organizer
      Silicon nanoelectronics for advanced applications
    • Place of Presentation
      Campus Plaza Kyoto, Kyoto
    • Year and Date
      2015-06-16 – 2015-06-16
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Low Temperature Charge Pumping in SOI Gated PIN Diode2015

    • Author(s)
      T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono
    • Organizer
      2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW-2015)
    • Place of Presentation
      Rega Royal Hotel Kyoto, Japan
    • Year and Date
      2015-06-14 – 2015-06-15
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2017-01-06  

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