2015 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
25289258
|
|---|
| Research Institution | Ibaraki University |
|---|
Principal Investigator |
大貫 仁 茨城大学, 理工学研究科, 特任教授 (70315612)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
稲見 隆 茨城大学, 工学部, 准教授 (20091853)
近藤 和夫 大阪府立大学, 大学院工学研究科, 教授 (50250478)
永野 隆敏 茨城大学, 工学部, 講師 (70343621)
篠嶋 妥 茨城大学, 工学部, 教授 (80187137)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
|
| Keywords | Cuめっき / 3次元実装 / Cu-TSV / 抵抗率 / 結晶粒径 / 化合物 |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
・3次元実装におけるCu-TSVの抵抗率は、システムLSIの高速化・低損失化大きく関係しているため、正確な抵抗率の測定が不可欠である。現在までに、信頼できる抵抗率は未だ報告されていない。従来の抵抗率測定法の欠点を補完することができる新しいTEGパターンを設計・製作し、抵抗率4.13μΩ・cmを得た。
・この抵抗率の精度を明確にするため、EBSD(Electron Backscattering Diffraction) による結晶粒径の測定とX線回折による結晶粒径の測定を行った。直径10μm、深さ80μmのCu-TSVにおける50nm以下の結晶粒の存在比は27%, 40nm以下のそれは13%であることが分かった。
すなわち、微細Cu配線の場合と同様、微細粒界における電子散乱が増大しCu-TSVの抵抗率が増大したと考えられる。
・微細粒の生成原因を明らかにするため、STEMによるCu-TSVの構造解析を行った。その結果、粒界には塩素、酸素および鉄からなる化合物が存在し、これがアニール時の粒成長を妨げていると考えられる。
|
| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
|
