2015 Fiscal Year Annual Research Report
自発的秩序構造に基づくメソ－マクロ領域での半導体機能性表面の創製
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25289263
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
小野 幸子 工学院大学, 公私立大学の部局等, 研究員 (90052886)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
阿相 英孝 工学院大学, 公私立大学の部局等, 准教授 (80338277)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | ナノ材料 / 先端機能デバイス / 半導体超微細化 / 材料加工・処理 / 自己規則化 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では，半導体基板ならびに化合物半導体を主な加工対象として，物質固有の自己組織可能に湿式プロセスを組み合わせ，メソ（2 nm-50 nm）－マクロ（50 nm以上）領域で，構造，組成を精密に制御した高次構造体を効率的かつ大面積に作製する技術を開発することを目的に研究を展開してきた。最終年度である平成27年度は前年度に引き続き，外部電場を用いずに貴金属の触媒作用を利用しⅢ－Ⅴ族化合物半導体（InP，GaAs）をマイクロメートルオーダーで規則的にエッチングする手法に関して，補足データの収集に努めた。エッチング条件の最適化によってラインパターンやピラーアレイを位置選択的に形成できることを実証し，当該成果を国際学術雑誌に論文出版した。本手法の新規性は，従来基板表面に付与していた貴金属を基板背面に付与した点であり，これにより化学エッチング中の貴金属触媒のはく離を防止し，長時間安定した化学エッチングが実現した。
また，アノードエッチングで作製したGaAsナノワイヤアレイを基板から剥離後，シリコン基板上へ集積し，トランジスタとして動作することも確認した。これは，高性能な機能電子デバイス（フレキシブルトランジスタなど）を構築する上で意義のある成果と言える。当該データに関しては，学術論文としての公表のみならず特許出願を準備中である。その他にも，ナノサイズの孔を持つポーラスアルミナの構造制御やマグネシウムの表面処理プロセスなど，湿式プロセスの長所を活かした関連研究に関して学術論文として研究成果を報告した。
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(74 results)
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[Presentation] アノード酸化の基礎2015
Author(s)
小野幸子
Organizer
表面技術協会 夏季セミナー表面処理基礎講座(I)
Place of Presentation
早稲田大学（東京都）
Year and Date
2015-06-18
Invited
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