2014 Fiscal Year Research-status Report
Project/Area Number |
25330279
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
佐藤 茂雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (10282013)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中島 康治 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (60125622)
小野美 武 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (70312676)
秋間 学尚 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (40707840)
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Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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Keywords | 脳型計算機 / ニューロチップ / シナプスデバイス / フローティングゲートメモ リ |
Outline of Annual Research Achievements |
脳型計算機の開発に向けて, 人の脳に迫る集積化のために重要な鍵となる不揮発性ナノシナプスデバイスを開発することが本研究の目的である. 一般的にニューロンN個に対してシナプスN×N個が必要であり, シナプスの微細化が集積化のための最重要課題であり, フローティングゲートメモリと縦型MOSトランジスタから構成されるナノシナプスデバイスを試作・実現する. 具体的には, フローティングゲートメモリ及び縦型MOSトランジスタの試作・評価, ナノシナプスデバイスの設計・試作・動作検証, ニューロン回路や学習回路との整合性の検証を行う. またデバイスサイズや信号振幅の最適化を図り, 新シナプスデバイスを利用したニューロチップを小規 模で実現し, 基本動作を検証することを目指す. 具体的な研究項目は、 1) フローティングゲートメモリの試作, 2) 縦型MOSトランジスタの試作, 3) 不揮発性ナノシナプスデバイスの設計と試作, 4) ネットワーク動作の検証, という4つに分類される. 二年度目にあたる平成26年度は、将来の実用化の観点から、回路とデバイスの整合性を詳細に検討した上で、主に以下3つの課題について研究を行った。 ・フローティングゲート電極用ポリシリコン薄膜成膜プロセスの確立 ・大規模神経回路用1000入力ニューロン回路に必要な不揮発性メモリの線形性の検討 ・確率的に動作するパルス出力ニューロン回路の設計
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
フローティングゲート電極用ポリシリコン薄膜成膜プロセスに関する実験において、装置の不具合等の理由により、各種条件出しに想定以上の時間を要しているため。
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Strategy for Future Research Activity |
フローティングゲート電極用ポリシリコン薄膜成膜プロセスを優先的に進め、これまでに得られた回路技術との融合を図る。
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