2016 Fiscal Year Annual Research Report
Crystal growth of molybdenum oxide films and its application in environmentally-resistant devices
Project/Area Number |
25390033
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Research Institution | Osaka Institute of Technology |
Principal Investigator |
小池 一歩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
原田 義之 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (20288757)
矢野 満明 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40200563)
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Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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Keywords | 酸化モリブデン / 分子線エピタキシー / 結晶構造制御 / エピタキシャル成長 / 放射線耐性 |
Outline of Annual Research Achievements |
前年度までに、分子線エピタキシー法でr面サファイア基板にc軸配向した単斜晶の三酸化タングステン(WO3)薄膜がエピタキシャル成長すること、その上に110配向した斜方晶の三酸化モリブデン(MoO3)薄膜がエピタキシャル成長することを明らかにしている。今年度は、MoO3と格子定数が近接している(LaSr)(AlTa)3基板(LSAT基板)を用いて、高品質なMoO3薄膜の成長を試みた。分子線エピタキシー法でLSAT基板にMoO3を成膜したところ、b軸配向した斜方晶のMoO3薄膜がエピタキシャル成長することが判った。b軸配向したMoO3薄膜は面内方向に層間が形成されるため、金属イオンを層間へインターカレーションすることで面内方向の電気伝導度を5~7桁変化させることが可能である。このことから、抵抗可変メモリーなど新規デバイスへ応用できる可能性がある。さらに我々は、c軸配向したWO3薄膜をバッファ層とすることで、その上に単斜晶のMoO3がエピタキシャル成長することも明らかにした。単斜晶はAサイトを有するペロブスカイト構造で構成されており、斜方晶よりも比表面が大きいことから、マイクロバッテリーやガスセンサーへの応用に適している。単斜晶のMoO3をエピタキシャル成長した報告例は殆どなく、結晶構造を制御してMoO3薄膜をエピタキシャル成長した本研究成果は、新規デバイスの開発に重要な知見を与えたと云える。
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Research Products
(12 results)
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[Presentation] Electrochromic properties of single-crystalline tungsten trioxide films grown by molecular beam epitaxy2016
Author(s)
M.Murayama, W.Kuwagata, K.Koike, Y.Harada, S.Sasa, M.Yano, S.Kobayashi, K.Inaba
Organizer
2016 Int. Mtg. For Future of Electron Devices, Kansai
Place of Presentation
Ryukoku University, Kyoto, Japan
Year and Date
2016-06-23 – 2016-06-24
Int'l Joint Research
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