新規面方位制御技術を用いた非極性窒化ガリウムおよび窒化物半導体結晶の創製

2014 Fiscal Year Research-status Report

• Project/Area Number: 25390064
• Research Institution: Tokyo University of Agriculture and Technology
• Principal Investigator: 村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
• Project Period (FY): 2013-04-01 – 2016-03-31
• Keywords: 窒化物半導体 / 選択成長 / 半極性 / 基板加工 / 異方性エッチング / 砒化ガリウム

Outline of Annual Research Achievements

高効率光デバイス、高耐圧・低損失パワーデバイス、高速電子デバイス実現のために期待される高品質非極性面III族窒化物半導体結晶の創製を目的とし、新規の面方位技術の確立のためのGaAs基板加工およびそれに続く結晶成長の検討を行った。
平成25年度において、GaAs基板のリン酸および過酸化水素による加工条件の確立およびInN選択成長の基本条件を見出したことから、平成26年度は①InN成長の面方位選択性向上のための成長条件の確立、②GaAs(111)Aファセット面を選択的に形成するエッチング条件の確立およびその上のInN選択成長、③長時間成長による半極性InN膜の形成、を主目的として研究を推進した。
リン酸と過酸化水素によりGaAs(110)基板加工を施し、(111)Aおよび(111)Bを同時に形成した加工基板上へのInN選択成長を行った。平成25年度報告にもあるように、575℃という比較的低温ではランダムに配向したInN結晶が両極性面上に成長し、600℃というInN結晶成長では比較的高温の条件では、選択性が向上することが明らかとなっている。平成26年度に実施したX線回折測定の結果から選択的に成長したInN結晶は(10-13)面であり、選択的成長により双晶の形成が抑制されたことが確認された。さらにIn供給分圧を低減することにより、選択性が向上することが分かった。これらの結果から、In原料の表面拡散を向上させることにより、InN結晶がGaAs(111)A面に選択的に成長することが分かった。
GaAs(111)B面からの成長を抑制するために、アンモニアと過酸化水素によりGaAs(111)Aファセットを形成した加工基板上で選択的なInNの成長を試みた。高温成長、低TMI供給分圧により、GaAs(111)A面上への選択的なInN成長が可能であった。最適な条件で360分の長時間成長を試みた。

Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

エッチングによるGaAs基板加工に関して、異方性エッチングおよび等方性エッチングの再現性は確実に向上し、精度良く所望のファセット面を形成する条件を見出すことができた。また、加工基板上へのInN成長において、その成長面選択性のメカニズムが明らかになってきており、選択性向上のための結晶成長条件の設定が可能となった。(111)A面の選択的形成とそれに続くInN選択成長により、双晶の無いInN(10-13)半極性結晶が実現した。また、長時間成長にも着手し、半極成膜の形成が可能であることが明らかとなっている。
一方で、研究計画調書にあるその他の非極性面に関する検討までには至っておらず平成27年度に実施予定である。

Strategy for Future Research Activity

上述したとおり、GaAs基板の選択的加工技術、InN選択成長のための条件探索はほぼ完了し、今後は結晶品質向上のための条件探索が必要である。結晶品質向上の弊害となっているのがInN結晶の熱不安定性であり、長時間成長に伴って成長膜がGaAs基板との界面から分解・劣化する問題がある。今後、低成長温度におけるInN選択成長の実現あるいはInN/GaAs基板界面への保護層導入等を検討しこの問題の解決を図る。
平成26年度に検討に至らなかった他の非極性窒化物半導体結晶の成長を行うべく、高指数面GaAs基板のエッチング条件の探索およびInN選択成長の検討を行う。本検討のため、原料濃度を広範囲に変更できるよう、マスフローコントローラー等ガス系の整備を平成26年度に実施し、平成27年度から進めることが可能となっている。

Causes of Carryover

前述のとおり、平成26年度までにInNの半極性(10-13)面成長および基板加工手法の確立を達成したが、他の非極性面、例えば(11-22)、(10-11)の検討には至らなかった。本検討を行うためには、様々な面方位のGaAs基板の入手が必要であり、特殊面方位(一般に流通していない面方位)のため、購入に時間がかかっている。また、InN以外の他の窒化物半導体結晶の検討のために新規の原料の購入を検討しているが、成長の可否についての理論計算を実施中であり、その結果を以って平成27年度に原料購入を予定している。

Expenditure Plan for Carryover Budget

平成27年度に特殊面方位GaAs基板および新規原料(三塩化ガリウム)の購入を予定している。

Research Products

• [Journal Article] High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy (2015)
  • Author(s): Rie Togashi, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshihiro Ishitani, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
  • Journal Title: Journal of Crystal Growth Volume: 422 Pages: 15-19
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.04.019
  • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
• [Journal Article] Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy (2015)
  • Author(s): Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Kohei Sasaki, Katsuaki Kawara, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar and Akinori Koukitu
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 8 Pages: 015503-1-4
  • DOI: 10.7567/APEX.8.015503
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Thermal stability of β-Ga2O3 in mixed flows of H2 and N2 (2015)
  • Author(s): Rie Togashi, Kazushiro Nomura1, Chihiro Eguchi, Takahiro Fukizawa, Ken Goto, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 54 Pages: 041102-1-6
  • DOI: 10.7567/JJAP.54.041102
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Thermodynamic study of β-Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy (2014)
  • Author(s): .Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Akinori Koukitu
  • Journal Title: Journal of Crystal Growth Volume: 405 Pages: 19-22
  • DOI: 10.7567/APEX.8.015503
  • Peer Reviewed
• [Presentation] III-Cl・III-Cl3混在ハライド気相成長によるIII族窒化物特異構造の形成 (2015)
  • Author(s): 熊谷義直，富樫理恵，ティユ クァン トゥ，村上尚，Bo Monemar，纐纈明伯
  • Organizer: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
  • Year and Date: 2015-03-14 – 2015-03-14
  • Invited
• [Presentation] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3の熱的安定性の熱力学的検討 (2015)
  • Author(s): 富樫理恵，野村一城，江口千尋，蕗澤孝紘，後藤健，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • Organizer: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
  • Year and Date: 2015-03-13 – 2015-03-13
• [Presentation] ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長 (2015)
  • Author(s): 野村一城，後藤健，佐々木公平，河原克明，ティユ クァン トゥ，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，纐纈明伯
  • Organizer: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
  • Year and Date: 2015-03-13 – 2015-03-13
• [Presentation] High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE (2015)
  • Author(s): Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rie Togashi, Reo Yamamoto, Baxter Moody, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • Organizer: 2015 Photonics West
  • Place of Presentation: San Francisco, California, U.S.A.
  • Year and Date: 2015-02-09 – 2015-02-09
  • Invited
• [Presentation] Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • Author(s): T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • Organizer: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • Place of Presentation: Kaohsiung, Taiwan
  • Year and Date: 2014-12-16 – 2014-12-16
• [Presentation] Theoretical calculation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides (2014)
  • Author(s): N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • Organizer: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • Place of Presentation: Kaohsiung, Taiwan
  • Year and Date: 2014-12-16 – 2014-12-16
• [Presentation] Homoepitaxial Growth of ZnO Thin Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy using Hydrogen- Free Sources (2014)
  • Author(s): Rintaro Asakawa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kan, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi,Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • Organizer: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • Place of Presentation: Kaohsiung, Taiwan
  • Year and Date: 2014-12-15 – 2014-12-15
• [Presentation] Thermal stability of Ga2O3 in mixed gases of H2 and N2 (2014)
  • Author(s): R. Togashi, K. Nomura, C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Koukitu
  • Organizer: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • Place of Presentation: Kaohsiung, Taiwan
  • Year and Date: 2014-12-15 – 2014-12-15
• [Presentation] Homo-Epitaxial Growth of High-Purity Films of β-Ga2O3 and ZnO by Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • Author(s): Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
  • Organizer: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • Place of Presentation: Boston, Massachusetts, U.S.A
  • Year and Date: 2014-12-01 – 2014-12-01
  • Invited
• [Presentation] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Films on (001) β-Ga2O3 Substrate (2014)
  • Author(s): Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Katsuaki Kawara, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
  • Organizer: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • Place of Presentation: Boston, Massachusetts, U.S.A
  • Year and Date: 2014-12-01 – 2014-12-01
• [Presentation] Thermodynamic Analysis on Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 (2014)
  • Author(s): Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
  • Organizer: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • Place of Presentation: Boston, Massachusetts, U.S.A
  • Year and Date: 2014-12-01 – 2014-12-01
• [Presentation] トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響 (2014)
  • Author(s): 長谷川智康，平崎貴英，渡辺雄太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-13 – 2014-11-13
• [Presentation] HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討 (2014)
  • Author(s): 田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody， 村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • Organizer: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-13 – 2014-11-13
• [Presentation] 窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への前駆体二段階生成HVPE法による高速InN成長 (2014)
  • Author(s): 小島千恵，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-13 – 2014-11-13
• [Presentation] GaCl-O2系HVPE法によるβ-Ga2O3成長の熱力学解析 (2014)
  • Author(s): 野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • Organizer: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-13 – 2014-11-13
• [Presentation] 水素・窒素雰囲気下におけるIII族酸化物基板安定性の熱力学的調査 (2014)
  • Author(s): 江口千尋，蕗澤孝紘，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-13 – 2014-11-13
• [Presentation] ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3のホモエピタキシャル成長 (2014)
  • Author(s): 河原克明，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • Organizer: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-13 – 2014-11-13
• [Presentation] 水素・窒素雰囲気下におけるGa2O3分解の検討 (2014)
  • Author(s): 富樫理恵，野村一城，江口千尋，蕗澤孝紘，後藤健，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • Organizer: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-07 – 2014-11-07
• [Presentation] HVPE法を用いたβ-Ga2O3結晶成長の熱力学解析 (2014)
  • Author(s): 野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • Organizer: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-07 – 2014-11-07
• [Presentation] 淺川倫太郎，神崎直人，林田真由子，廣江昭彦， 康松潤，富樫理恵，村上尚，柏木勇作，熊谷義直，纐纈明伯 (2014)
  • Author(s): 一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるZnO:N薄膜の成長
  • Organizer: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • Place of Presentation: 学習院大学, 東京都
  • Year and Date: 2014-11-07 – 2014-11-07
• [Presentation] ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析 (2014)
  • Author(s): 野村一城，後藤 健，富樫理恵，村上 尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • Organizer: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 北海道大学, 北海道
  • Year and Date: 2014-09-19 – 2014-09-19
• [Presentation] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因 (2014)
  • Author(s): 東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島 徹，木下 亨，Baxter Moody， 村上 尚, Ramon Collazo，熊谷義直，Zlatko Sitar
  • Organizer: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 北海道大学, 北海道
  • Year and Date: 2014-09-17 – 2014-09-17
• [Presentation] 前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長 (2014)
  • Author(s): 小島千恵，富樫理恵，村上 尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 北海道大学, 北海道
  • Year and Date: 2014-09-17 – 2014-09-17
• [Presentation] Thermal Stability of Group-III Oxides in Mixed Flows of H2 and N2 for Growth of Group-III Nitrides (2014)
  • Author(s): C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • Place of Presentation: WROCLAW, Poland
  • Year and Date: 2014-08-27 – 2014-08-27
• [Presentation] Growth of AlN by hydride vapor phase epitaxy (2014)
  • Author(s): Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • Place of Presentation: WROCLAW, Poland
  • Year and Date: 2014-08-26 – 2014-08-26
  • Invited
• [Presentation] Growth of Si-doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • Author(s): R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • Place of Presentation: WROCLAW, Poland
  • Year and Date: 2014-08-26 – 2014-08-26
• [Presentation] Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • Author(s): S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • Place of Presentation: WROCLAW, Poland
  • Year and Date: 2014-08-26 – 2014-08-26
• [Presentation] Selective Nucleation of Semi-Polar InN on Patterned GaAs(110) Substrate by MOVPE (2014)
  • Author(s): Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • Place of Presentation: WROCLAW, Poland
  • Year and Date: 2014-08-26 – 2014-08-26
• [Presentation] High-Speed Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) substrates (2014)
  • Author(s): C. Kojima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • Place of Presentation: WROCLAW, Poland
  • Year and Date: 2014-08-25 – 2014-08-25
• [Presentation] HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用 (2014)
  • Author(s): 熊谷義直, 永島徹, 木下亨, 村上尚, 纐纈明伯
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
  • Invited
• [Presentation] 第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出 (2014)
  • Author(s): 竹川直，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
• [Presentation] III族酸化物単結晶基板の水素・窒素雰囲気下分解の熱力学解析 (2014)
  • Author(s): 江口千尋, 蕗澤孝紘, 野村一城, 後藤健, 富樫理恵, 村上尚, 倉又朗人, 熊谷義直, 纐纈明伯
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
• [Presentation] AlN 高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響 (2014)
  • Author(s): 東城俊介, 田中凌平, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, Baxter Moody, 村上尚, Ramon Collazo, 熊谷義直, 纐纈明伯, Zlatko Sitar
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
• [Presentation] AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討 (2014)
  • Author(s): 田中凌平, 東城俊介, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, Baxter Moody, 村上尚, Ramon Collazo, 熊谷義直, 纐纈明伯, Zlatko Sitar
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
• [Presentation] 前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長 (2014)
  • Author(s): 富樫理恵, 小島千恵，藤田直人，斉藤広伸，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
• [Presentation] トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長 (2014)
  • Author(s): 塩野杏奈，竹川直，藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • Organizer: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 名城大学, 愛知県
  • Year and Date: 2014-07-15 – 2014-07-15
• [Presentation] Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • Author(s): Takahide Hirasaki, Yuta Watanabe, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • Organizer: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • Place of Presentation: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • Year and Date: 2014-07-10 – 2014-07-10
• [Presentation] Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE (2014)
  • Author(s): Yu Fujimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • Organizer: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • Place of Presentation: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • Year and Date: 2014-07-10 – 2014-07-10
• [Presentation] Selective growth of InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE (2014)
  • Author(s): Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • Organizer: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • Place of Presentation: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • Year and Date: 2014-07-10 – 2014-07-10
• [Presentation] Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic (2014)
  • Author(s): Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • Organizer: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • Place of Presentation: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • Year and Date: 2014-07-10 – 2014-07-10
• [Presentation] Temperature Dependence of InN Growth on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates Using a Novel HVPE System (2014)
  • Author(s): Rie Togashi, Chie Kojima, Naoto Fujita, Hironobu Saito, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
  • Organizer: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
  • Place of Presentation: Atlanta, Georgia, U.S.A.
  • Year and Date: 2014-05-20 – 2014-05-20
• [Presentation] Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN (2014)
  • Author(s): Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • Organizer: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
  • Place of Presentation: Atlanta, Georgia, U.S.A.
  • Year and Date: 2014-05-19 – 2014-05-19
  • Invited
• [Presentation] Growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using non-hydrogenous sources (2014)
  • Author(s): Rintaro Asakawa, Yuta Isa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kang, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • Organizer: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • Year and Date: 2014-04-24 – 2014-04-24
• [Presentation] Thermal stability of β-Ga2O3 substrates in mixed flows of H2 and N2 (2014)
  • Author(s): C. Eguchi, T. Fukizawa, S. Hanagata, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • Organizer: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • Year and Date: 2014-04-24 – 2014-04-24
• [Presentation] High-speed InN growth on yttria-stabilized zirconia (111) substrates by a two-step precursor generation HVPE system (2014)
  • Author(s): C. Kojima, R. Togashi, R. Imai, N. Fujita, H. Saito, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • Organizer: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • Year and Date: 2014-04-24 – 2014-04-24
• [Presentation] Surface orientation dependence of the In-incorporation of THVPE-grown InGaN studied by first principles and statistical thermodynamics (2014)
  • Author(s): Hisashi Murakami, Yu Fujimura, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • Organizer: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • Year and Date: 2014-04-23 – 2014-04-23