2015 Fiscal Year Annual Research Report
光熱変換技術を用いた結晶成長方向に組成の異なる半導体薄膜の光吸収スペクトル測定
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25390082
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Research Institution | University of Miyazaki |
Principal Investigator |
碇 哲雄 宮崎大学, 工学部, 研究員 (70113214)
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Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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Keywords | カルコパイライト太陽電池 / 組成変調構造 / 光熱変換分光法 / フォトルミネセンス |
Outline of Annual Research Achievements |
カルコパイライト型CuInGaSe2太陽電池は、内部の薄膜組成を意図的に変化させることでバンドギャップを膜厚方向に変化させ高い光電変換効率を実現しているため、膜厚方向のバンドギャップの変化を詳しく認識しておくことが不可欠である。本研究課題では、三段階逐次蒸着法を用いてMo/SLG上に膜を作成し、更に表面にCdSまたはZnSバッファー層を形成した構造の異なる試料に対してPPT(Piezoelectric photothermal)及びPL(Photoluminescence)信号の測定・解析を行った。その結果、PPTについては、Mo不透明膜上のこれまで測定が出来なかった試料構造に対して初めて光吸収スペクトルを極めて微弱な信号ではあるが測定することが出来た。そのなかで観測された室温付近にのみ現れる異常に大きなエネルギーギャップの減少は、バッファー層やCIGS 膜の深さ方向組成依存性だけでは説明出来ず、バッファー層からの原子の拡散による組成変動に加えて不純物準位のキャリア占有率の変化を取り入れた定性的モデルで説明できる事が分かった。またこのモデルはPLの結果も良く説明できた。 理論的側面からの解析については、バッファー層の影響などにより試料表面での組成依存性が予想以上に強く、逆問題を用いて解析するような複雑なモデルをたてるに至らなかった。そこで、これまで分かっていなかった、組成依存性がPPT信号に与える影響を見るため、簡易モデルと考えられる多層構造太陽電池を用いて深さ方向のPPT信号を測定し、その結果を圧電素子光音響分光法の理論解析結果と比較した。そして実験で得られたPPT信号強度スペクトルとその周波数依存性が説明できた。 以上の結果から、構造的に組成依存性の強い半導体薄膜の物性評価にPPT測定法が有用であることが示すことが出来た。
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[Journal Article] Control of hydrogen and carbon impurity inclusion during the growth of GaAsN thin film by atomic layer epitaxy2016
Author(s)
Yokoyama, Y. Fukuyama, A., Haraguchi, T., Yamauchi, T., Ikari, T., and Suzuki, H.
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Journal Title
Japanese Journal of Applied Physics
Volume: 55
Pages: 01AC06
DOI
Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
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[Journal Article] X-ray Induced Luminescence Spectroscopy of Samarium Doped Barium Sulfate Prepared by Sintering Method2015
Author(s)
Kumeda, T., Maeda, K., Shirano, Y., Fujiwara, K., Sakai, K., and Ikari, T.
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Journal Title
Journal of Physics: Conference Series
Volume: 619
Pages: 012038
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Zinc-blende and wurtzite phase separation in catalyst-free molecular beam epitaxy vapor-liquid-solid-grown Si-doped GaAs nanowires on a Si(111) substrate induced by Si doping2015
Author(s)
Suzuki, A., Fukuyama, A., Suzuki, H., Sakai, K., Paek, J.-H., Yamaguchi, M., and Ikari, T.
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Journal Title
Japanese Journal of Applied Physics
Volume: 54
Pages: 035001
DOI
Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
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[Journal Article] Effect of number of stack on the thermal escape and non-radiative and radiative recombination of photoexcited carriers in strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum-well-inserted solar cells2015
Author(s)
Aihara, T., Fukuyama, A., Suzuki, H., Fujii, H., Sugiyama, M., Nakano, Y., and Ikari, T.
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Journal Title
Journal of Applied Physics
Volume: 117
Pages: 084307
DOI
Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
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