2015 Fiscal Year Annual Research Report
多値多層記録と超解像再生を同時に達成するInSb不定比酸化物薄膜の作製と機構評価
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25390106
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
島 隆之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (10371048)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 大容量光記録 / 超解像再生 / 多値記録 / 多層記録 / アーカイブ / 酸化物 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
InSbOx薄膜はスパッタリング法により室温で成膜した。InSbOx薄膜を600℃まで加熱する過程において、波長405 nmにおける反射光強度は、一旦減少した後に上昇に転じ、元の反射光強度よりも増加する特徴があったことから、３値記録（元の反射率、減少時の反射率、増加時の反射率）の可能性が指摘された。この600℃加熱に伴う薄膜の物性変化について調べたが、X線回折測定から薄膜はアモルファス状態のままであり、またRBS及びXRF測定から酸素比xもほぼ変化はなかった。前記実験からは反射光強度が変化した理由が明らかでなく、それを用いた多値記録の検討は困難が予想されたことから、InSbOxを用いた別の多値記録をシミュレーションにより検討したところ、2つのInSbOx層の間に空隙層を設け、その空隙の厚みを変化させることで、前記のような３値記録は可能であるとの結果を得た。具体的には、ディスク基板/InSbOx 20 nm/ 空隙層 y nm/InSbOx 100 nmの3層構造において、基板側から波長405 nmのレーザ光が入射する場合、空隙層厚yが54 nm以下（以上）のときは、空隙層がないときに比べて反射率は減少（増加）した。空隙層は例えば、酸化白金など熱分解してガスを放出する材料を用いれば、レーザ光照射時に形成が見込める[1]。実験にて検証するため、静的環境下で405 nmレーザ光を集光して照射できる装置を組み上げた。[1] T. Shima et al., Jpn. J. Appl. Phys. 42(2003)3479.
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Research Products
(1 results)
