• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2013 Fiscal Year Research-status Report

共振器QED効果による良質な量子光生成に関する理論研究

Research Project

Project/Area Number 25400325
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

安食 博志  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60283735)

Project Period (FY) 2013-04-01 – 2016-03-31
Keywords量子もつれ光子対 / 共振器 / 量子ドット / ドレスト状態 / 電磁界解析シミュレーション
Research Abstract

量子もつれ光子対を共鳴散乱によりオンデマンドに生成するためには、パルス光を入射する必要がある。そこで、共振器に量子ドットを埋め込んだ系にパルス光を入射した場合において、高速かつ高効率な量子もつれ光子対を生成するための条件を理論的に解析した。
強結合領域にある共振器-量子ドット系はドレスト状態を介したカスケード放射により、量子もつれ光子対を生成することができる。特に、この系では通常のカスケード放射では生成できないシングレット型の量子もつれ光子対も生成できる。そこで、シングレット型の量子もつれ光子対の生成時間を共振器のQ値の関数として解析的に求めた。さらに、入射光パルスの強度と時間幅の関数としてシングレット型の量子もつれ光子対が生成されるドレスト状態の占有度を調べた。占有度が高くなるほど高効率に量子もつれ光子対が生成される。同時に、ドレスト状態の占有度に対するもつれ光子対の度合いを調べた。以上の計算から、励起子と光(共振器中)の相互作用が強くてQ値が大きくなるほど、量子もつれ光子対の生成効率が高くなることが分かった。ただし、Q値を大きすぎると光子対の生成時間が長くなるという欠点がある。そこで、これまで報告されてきた相互作用の強さとQ値の範囲内で、高速かつ高効率な量子もつれ光子対の生成条件を調べた。その結果、共振器を用いない場合よりも高速に高い効率で量子もつれ光子対を生成できる条件が明らかになった。
この他、新しいタイプの共振器として「半導体ナノギャップ共振器」を提案し、その性能を調べるための電磁界解析シミュレーションを開発した。このシミュレーション法により、これまで計算できなかった任意形状に閉じ込められた励起子による光散乱をシミュレーションすることが可能になった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

共振器-量子ドット系にパルス光を入射してオンデマンドに量子もつれ光子対を生成するときの最適な条件を明らかにしたから。

Strategy for Future Research Activity

今後は、共振器-量子井戸系の量子もつれ光子対生成の最適な条件を調べる。

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

予定していた計算機の販売が遅れたため。
前年度に予定していた計算機の購入

  • Research Products

    (7 results)

All 2014 2013

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (6 results)

  • [Journal Article] 強結合領域における共振器-量子ドット系からのもつれあい光子対生成2013

    • Author(s)
      安食博志
    • Journal Title

      レーザー研究

      Volume: 41 Pages: 492-496

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] CuCl 微小共振器における励起子分子の輻射緩和2014

    • Author(s)
      安食博志、松浦心平、三森康義、小坂英男、枝松圭一、宮崎健一、金大貴、中山正昭、大畠悟郎、石原一
    • Organizer
      日本物理学会第69回年次大会
    • Place of Presentation
      東海大学、平塚市
    • Year and Date
      20140327-20140330
  • [Presentation] Calculation of Large Rabi Splitting for Semiconductor Nanogap Microcavities2014

    • Author(s)
      M. Uemoto and H. Ajiki
    • Organizer
      1st Kansai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    • Place of Presentation
      Senri Life Science Center, Osaka
    • Year and Date
      20140203-20140204
  • [Presentation] 共振器中の CuCl 薄膜における励起子分子の輻射緩和2013

    • Author(s)
      安食博志、松浦心平、三森康義、小坂英男、枝松圭一、 宮崎健一、金谷侑佳、金大貴、中山正昭、大畠悟郎、石原一
    • Organizer
      光物性研究会
    • Place of Presentation
      大阪市立大学、大阪市
    • Year and Date
      20131213-20131214
  • [Presentation] 半導体ナノギャップ共振器によるラビ分裂の計算2013

    • Author(s)
      植本光治、安食博志
    • Organizer
      光物性研究会
    • Place of Presentation
      大阪市立大学、大阪市
    • Year and Date
      20131213-20131214
  • [Presentation] Semiconductor Nano-Gap Antennas with High Quality Factor2013

    • Author(s)
      M. Uemoto and H. Ajiki
    • Organizer
      “International Workshop of Computational Nano-Materials Design on Green Energy”, JSPS Core-to-Core Program Workshop
    • Place of Presentation
      Awaji Yumebutai International Conference Center, Awaji
    • Year and Date
      20130616-20130619
  • [Presentation] Exciton Induced Hotspot at Nanogap of Semiconductor Nano Structures2013

    • Author(s)
      H. Ajiki and M. Uemoto
    • Organizer
      The 7th International Conference on Nanophotonics (ICNP) / The 3rd Conference on Advances in Optoelectronics and Micro/Nano Optics (AOM)
    • Place of Presentation
      The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong
    • Year and Date
      20130519-20130523

URL: 

Published: 2015-05-28  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi