2015 Fiscal Year Annual Research Report
強誘電性配位高分子を用いた低電圧駆動メモリトランジスタの創製
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25410077
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| Research Institution | Kinki University |
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Principal Investigator |
大久保 貴志 近畿大学, 理工学部, 准教授 (90322677)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 配位高分子 / 強誘電性 / トランジスタ / 薄膜化 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
トランジスタは情報の伝達、変換、蓄積の根幹に係わる電子デバイスであり、その性能はキャリア移動度など用いる半導体材料の性質に大きく依存する。本研究ではこれまで申請者らが独自に開発してきた強誘電性配位高分子を新たな半導体材料として用いることで、低電圧駆動メモリトランジスタを開発することを目的とした。平成２７年度は主に新しい強誘電性配位高分子の開発と強誘電性配位高分子の薄膜作製法に関する研究を行った。それぞれの項目に関して以下に記す。（１）新規強誘電性配位高分子の開発：これまでの研究でジチオカルバミン酸を配位子とした単核銅二価錯体とハロゲン化銅を有機溶媒中で反応させることで種々の混合原子価配位高分子が生成することが明らかになっている。今年度はヘキサアザトリフェニレンという平面性配位子とハロゲン化銅を反応させた配位高分子を合成し、その導電性などを評価した。（２）強誘電性配位高分子の薄膜作製法の探索：研究ではこれまで、強誘電性配位高分子単結晶を用いることで従来の有機FETに比べ1桁以上低電圧でFETが駆動することを見出している。しかしながら単結晶FETは電極界面およびゲート絶縁膜との接触の問題があり、なかなか再現性の良いデータが得られない。そこで今年度は新たに合成したヘキサアザトリフェニレン誘導体を用いて配位高分子薄膜の作製を試みた。特に真空蒸着法でも配位高分子薄膜が生成することを見いたし、現在もトランジスタの作製と評価を行っている。
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Research Products
(15 results)
