2015 Fiscal Year Annual Research Report
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25410080
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| Research Institution | Nippon Institute of Technology |
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Principal Investigator |
大澤 正久 日本工業大学, 工学部, 教授 (80280717)
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2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 銅一価錯体 / 遅延蛍光 / 発光量子収率 / 貨幣金属錯体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
昨年度、ビスホスフィン配位子(PP配位子）を用いた銅(I)ハライド錯体の合成を行い、高効率な緑～青緑発光デバイスの製作に成功した。最終年度において、この発光をより高エネルギー化（青色化）するために、新規な配位子のデザイン及びその銅(I)錯体の合成を行い、光物性を評価した。
1. MO計算による配位子のデザイン: 青色化のためにはHOMO(最高被占軌道)を下げることが必要であるが、PP配位子上への置換基導入効果のみで発光を青色化させることは困難であることが判明した。そこで申請書に記述した、ヘテロ２座配位子の合成を行った。2．新規配位子（PO 及び PN配位子）の合成: ビスホスフィン配位子の１つのジトリルルホスフィノユニットをフェノキソ基に替えたPO配位子及びジアルキルアミノユニットに替えたPN配位子の合成を行った。3．銅(I)ハライド錯体の合成: PN配位子を用いることで発光を青色化することに成功した。ハライドを塩素、臭素、ヨウ素と変化させると発光波長（発光極大）は465、452、438nmと短波長化した。この事実から発光遷移にX（ハライド）→L（PN配位子）が関与していることが示唆された。また発光スペクトル及び量子収率の温度依存性の測定結果から、これらの発光が遅延蛍光であることを明らかにした。4．銅(I)ハライド錯体の構造: PN配位子のPユニットにかさ高いトリル基を導入したにもかかわらず、これらの錯体は2つのハライド配位子で架橋した2核錯体であることが判明した。
PN配位子を新規に合成し、研究の主目的である発光波長が438 nmの青色遅延蛍光を示す銅(I)錯体を合成することに成功した。PP配位子のPユニットをNユニットに替えることで、約60nm短波化することができた。この結果はHOMO軌道の広がりを小さくすることで、そのエネルギーレベルを下げることができたと理解できる。
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