極低速エピタキシャル結晶成長を利用した規則的マイクロテクスチャの自律的創成技術

2013 Fiscal Year Research-status Report

• Project/Area Number: 25420076
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Research Institution: Tokyo National College of Technology
• Principal Investigator: 角田 陽 東京工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (60224359)
• Project Period (FY): 2013-04-01 – 2016-03-31
• Keywords: エピタキシャル成長 / テクスチャ / 表面創成

Research Abstract

本研究では，自律的な薄膜結晶成長における現象を応用し，マイクロテクスチャ創成技術として確立に資する知見を得ることを目的として，本年度は以下を実施している．基板については，面方位(111)の単結晶Si基板とし，付与形状幾何形状としては，円，三角形～多角形，溝の各凹および凸形状とし，大きさや高さおよび各面方位に対する付与方向を設定し，この形状付与基板に対する薄膜エピタキシャル結晶成長を実施し，成長条件（基板温度，成長速度，成膜量）と創成幾何形状ならびにテクスチャの関係を形状精度を実験的に明確化しつつある．やや遅れているものの，ほぼ当初の研究計画どおりに進んでいる．

Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

主実験装置の故障対応のため．

Strategy for Future Research Activity

当初計画よりも次年度の試行回数を増やして進める予定である．

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

物品費において，主実験装置の故障対応のため，研究計画よりも試行回数が少なく実験成果をあげているため．
次年度以降において，試行回数を増やす際の費用に充当する計画である．