2014 Fiscal Year Research-status Report
極低速エピタキシャル結晶成長を利用した規則的マイクロテクスチャの自律的創成技術
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25420076
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| Research Institution | Tokyo National College of Technology |
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Principal Investigator |
角田 陽 東京工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (60224359)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | エピタキシャル成長 / テクスチャ / 表面創成 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では，マイクロテクスチャ（代表寸法がマイクロメートルオーダ以下の単位規則形状が無秩序に，または秩序よく規則的に整列配置されている面）創成技術のひとつとして，極低速の薄膜エピタキシャル結晶成長における分子の自律的な整列現象の応用を提案している．実際の試作実験および解析により，単位規則形状が秩序よく規則的に整列配置され，1マイクロメートル以下の形状精度をもったマイクロテクスチャの自律的創成技術の確立に資する知見を得ることを目的とする．
今年度は，前年度に引き続き，基板に面方位(111)の単結晶Si基板とし，付与形状幾何形状としては，円，三角形，四角形，直線形，同心円形の各凹（穴・溝）および凸（柱）形状とした場合について，薄膜エピタキシャル結晶成長を実施し，成長条件（基板温度，成長速度，成膜量）と創成幾何形状ならびにテクスチャの関係を形状精度，再現性を含めて実験的に明確化した．成膜量は０，１５，３０，４５ナノメートルの各場合とした場合の創成過程を時系列的に観察し，創成メカニズムの解明をはかりつつある．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
おおむね想定どおりに進捗していると考えており，いくつかの成果発表も行えている．
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| Strategy for Future Research Activity |
２０１５（平成２７）年度は本助成事業期間の最終年度であるので，研究成果をまとめられるようにしていく．
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| Causes of Carryover |
予定していた観察装置について，廃番となったものがあり，新たな機種選定が必要となり，今年度については貸与によって実験を実施したため．
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
新たに選定した観察装置の導入をはかり，実験をより充実して実施する予定てある．
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