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2014 Fiscal Year Research-status Report

窒化物系深紫外域混晶半導体における高密度励起子系の光機能性

Research Project

Project/Area Number 25420289
Research InstitutionYamaguchi University

Principal Investigator

山田 陽一  山口大学, 理工学研究科, 教授 (00251033)

Project Period (FY) 2013-04-01 – 2016-03-31
Keywords励起子 / 励起子分子 / 局在化 / 低次元化 / 窒化物半導体 / 混晶半導体 / 励起子工学 / 量子井戸
Outline of Annual Research Achievements

AlGaN混晶量子井戸構造における高密度励起子系の基礎物性の解明に取り組んだ。前年度の研究により、Al0.60Ga0.40N量子井戸活性層の膜厚が2 nmの試料における励起子分子の結合エネルギーが136 meVに達し、励起子分子は室温においても極めて安定に存在することを明らかにした。そこで、室温以上の高温領域におけるPLおよび PLE測定を行うことにより、励起子分子の熱的安定性と高密度励起子系の挙動に関する考察を行った。まず、室温300Kから750Kまでの高温領域におけるPL測定を行った。その結果、励起子分子の発光線Mは750Kの高温においても明瞭に観測され、励起子分子が750Kにおいて安定に存在していることを明らかにした。また、室温からの温度上昇に伴い、500Kにおいては励起子分子発光線Mよりも低エネルギー側の発光線PXMの相対強度が増加し、700Kにおいてはさらに低エネルギー側の発光線PMの相対強度が増加する様子が観測された。そこで、室温以上の高温領域において顕在化する発光線の起源を明らかにするために、高温領域におけるPLE測定を行った。その結果、発光線PXMとPMのPLEスペクトルには、励起子分子の発光線Mと同様に、励起子共鳴に加えて励起子分子の2光子共鳴が観測された。この観測結果は、発光線PXMとPMの起源に励起子分子が関与していることを示している。発光線のエネルギー位置を考慮すると、発光線PXMは励起子と励起子分子との間の非弾性散乱、発光線PMは2つの励起子分子間の非弾性散乱によるものであると説明した。
次に、励起子分子に対する量子閉じ込め効果の詳細を明らかにするために、励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性の解明に取り組んだ。現在までに、上述した井戸幅2nmに加えて、井戸幅が1.5nmの試料の励起子分子結合エネルギーが146meVに達することを明らかにした。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本研究の目的として、AlGaN系混晶量子井戸構造における低次元系励起子分子の基礎物性の解明を掲げている。昨年度までの研究成果を踏まえて、本年度は室温よりも高温領域における励起子分子の熱的安定性と高密度励起子系の挙動を解明することを目指した。実際に、励起子分子が高温750Kにおいても安定に存在することを明らかにした。また、温度上昇に伴い、励起子と励起子分子間の非弾性散乱や2つの励起子分子間の非弾性散乱による発光線が顕在化することを明らかにした。さらに、励起子分子に対する量子閉じ込め効果の詳細を明らかにするために、励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性の解明に取り組み、井戸幅を2nmから1.5nmにすると、励起子分子の結合エネルギーが136meVから146meVに増大することを明らかにした。以上の研究成果より、本年度の初めに立案した研究実施計画はほぼ達成されたものと考えている。

Strategy for Future Research Activity

平成25、26年度の基礎物性評価の結果を受けて、平成27年度はAlxGa1-xN混晶量子井戸内に形成される低次元系の局在励起子分子の光機能性を評価する。特に、励起子分子の輻射再結合過程や、励起子-励起子分子間または2つの励起子分子間の非弾性散乱による輻射再結合過程による光学利得生成に着目し、「励起子分子レーザ」の実現に向けての構造最適化の構築を目指す。具体的には、時間分解非線形発光分光法により、高密度励起子系からの発光の非線形成分とその時間応答を測定し、その光学的非線形性の起源を解析する。また、光励起下における誘導放出、レーザ発振を測定し、光学利得生成に与える低次元化および局在化の効果を系統的に解析する。

  • Research Products

    (9 results)

All 2015 2014

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (7 results) (of which Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Binding energy of localized biexcitons in AlGaN-based quantum wells2014

    • Author(s)
      Y. Hayakawa, T. Fukuno, K. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 7 Pages: 122101/1-3

    • DOI

      10.7567/APEX.7.122101

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency2014

    • Author(s)
      S. Kurai, K. Anai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 116 Pages: 235703/1-6

    • DOI

      10.1063/1.4904847

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] AlGaN量子井戸における励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性2015

    • Author(s)
      福野智規 中村豪仁 和泉平 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • Organizer
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • Year and Date
      2015-03-11
  • [Presentation] 混晶局在系における励起子多体効果2014

    • Author(s)
      山田陽一
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会「窒化物半導体特異構造の科学~物性評価と結晶学の構築へ~」シンポジウム
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-19
    • Invited
  • [Presentation] AlGaN混晶薄膜の高温PLE測定2014

    • Author(s)
      中尾文哉 長坂智幸 鶴丸拓斗 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-19
  • [Presentation] AlGaN系量子井戸構造の高温PLE測定2014

    • Author(s)
      福野智規 中村豪仁 和泉平 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-19
  • [Presentation] Si濃度の異なるAl0.61Ga0.39N混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価2014

    • Author(s)
      倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • Organizer
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-19
  • [Presentation] Photoluminescence due to inelastic scattering of excitons and biexcitons in AlGaN-based quantum wells up to 750 K2014

    • Author(s)
      Y. Hayakawa, T. Fukuno, K. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
    • Place of Presentation
      Wroclaw, Poland
    • Year and Date
      2014-08-26
  • [Presentation] Inelastic exciton and biexciton scattering in AlGaN-based quantum wells2014

    • Author(s)
      Y. Yamada, Y. Hayakawa, T. Fukuno, K. Nakamura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • Organizer
      32nd International Conference on the Physics of Semiconductors
    • Place of Presentation
      Austin, USA
    • Year and Date
      2014-08-14

URL: 

Published: 2016-05-27  

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