2015 Fiscal Year Annual Research Report
光アシスト金属―絶縁物同時無電解析出法による金属―絶縁物ナノグラニュラ薄膜の作製
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25420303
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| Research Institution | Nara National College of Technology |
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Principal Investigator |
藤田 直幸 奈良工業高等専門学校, その他部局等, 教授 (90249813)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平井 誠 奈良工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (00534455)
宇田 亮子 奈良工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (90321463)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 金属－絶縁物グラニュラ膜 / 光応答性ベシクル / 金属－絶縁物同時無電解析出法 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
GHz帯で動作する電磁波吸収材料の一つとして注目されている金属―酸化物グラニュラ薄膜を、独自に開発した金属―酸化物同時電析／無電解析出法というウェットプロセスで作製してきた。しかし、無電解ではCoが優先析出してしまい、膜厚方向の組成変動の問題があった。そこで、光応答性ベシクルを用い、光により溶液中のイオン濃度を制御する「光アシスト金属―酸化物同時無電解析出法」という新たな方法で膜組成変動の解決を目標に研究を進めた。使用した光応答性ベシクルは、水溶液中でカプセルのような働きをするが、UV光を照射すると崩壊するというユニークな機能を持つ。そのためにベシクル内に反応溶液の一成分を内包させれば光の照射により、溶液中の反応液成分をコントロールできることになる。本研究では、CeやCoを内包する光応答性ベシクルの作製に成功し、それを用いて溶液中のイオン濃度の制御が可能であることが明らかにできた。具体的な研究成果は、（１）ベシクル内のCo濃度を定量するために必要なチオシアン酸塩法によるCo定量について定量精度と検出限界などを明らかにし、光照射によってCo内包ベシクルが崩壊する際のCo濃度変化などを確認することができた。（２）ベシクル作製時のCoイオン濃度がとCo内包ベシクル内のＣｏ濃度は比例関係にあり、Coベシクルの体積率は約0.4%であることが分かった。（３）光応答性ベシクルを含む溶液に光を照射することでCo-Ce-O金属－酸化物同時電析のCoやCeの濃度制御が光により可能であることが明らかにできた。
また、Co-Ce-O薄膜の磁気共鳴周波数が200MHzと低いことから、高周波磁気特性を向上させるために、飽和磁化Msの増加を狙ってFe-Co-Ce-O薄膜の作製を試みた。錯化剤としていグリシン、硫酸アンモニウムを加えた溶液を使うことで、Fe-Co-Ce-O薄膜の作製が可能であることを見出すことができた。また、Feの添加により飽和磁化が増加することを明らかにできた。
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