2013 Fiscal Year Research-status Report
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25420306
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
吉武 道子 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 (70343837)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 電気測定プローブ / 非破壊 / 可逆接触 |
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| Research Abstract |
①上部電極コンタクト機構の探索：ヘアピン状のタングステンワイヤーの先端に溶融金球がついたコンタクトプローブを作製した。膜厚４ｎｍのＰｔ膜を破壊せずにコンタクトが可能なばね定数が得られるようなタングステンワイヤー径の選定を行った。また、本用途に最適な溶融金球の直径を見出した。
②コンタクト機構による電気接触の検証：マイカ上に約１００ｎｍ厚の金薄膜を蒸着した試料を用い、①で最適化したコンタクト機構を接触させて電気抵抗を測定した結果、ゼロ抵抗が得られ、コンタクトプローブが設計通りの電気コンタクトとして機能することを実証した。
③上部コンタクトによる試料汚染の検討：コンタクトプローブによる接触を行った表面が、プローブ材料である金で汚染されていないかどうかを、Ｘ線光電子分光法により調べた結果、汚染されていないことが判明した。これにより、当該コンタクトプローブが可逆的コンタクトとして使用できることが立証された。
②´コンタクト機構による電気接触の検証として、マイカ上金薄膜の電気抵抗の測定のみではなく、当該コンタクトプローブを２つ用いて４層グラフェンの非破壊・可逆的電気抵抗測定も行い、別の方法で測定されている電気抵抗値と比べて妥当な値が得られたことが分かった。
②´´コンタクト機構による電気接触の検証として、さらに、ｈｉｇｈ－ｋ絶縁膜のＭＯＳ構造におけるバイアス印加ＸＰＳ測定も行い、ゲート電極と当該コンタクトプローブの間にオーミックコンタクトが得られていることを実証した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
上記研究実績概要において、①②③が当初の計画であったが、②´、②´´の実績も得られ、来年度以降の計画（⑤バイアス電圧印加テスト）への助走も行ったため。
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| Strategy for Future Research Activity |
順調に推移しているので、計画通りに推進し、さらに、接触面積の制御機構などの付加的な研究も行う。
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