2015 Fiscal Year Annual Research Report
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25420306
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
吉武 道子 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノエレクトロニクス材料, MANA研究者 (70343837)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 電気コンタクト / 非破壊 / 電気測定 / プローブ / 二次元膜 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
電子デバイスの省エネ化には、非常に薄い層が何層にも積層されている絶縁膜や誘電体、トンネル層や電荷注入層などへの新しい材料の導入時の界面制御がカギを握る。界面の電気特性を決定付ける複数の界面をそれぞれ分離して計測するには、デバイス作製の途中で、一つの界面を形成するごとに非破壊で電気的特性が評価できるとよい。そこで、原子力顕微鏡のような力のフィードバック・除振機構、ピエゾ素子によるアプローチを必要とせずに、ナノ膜の膜成長面を破壊・汚染することなく非破壊で可逆的に電気コンタクトを形成する技術の開発を行った。
具体的に、表面が非常にスムースで接触により測定試料を傷めないプローブを溶融により作製し、このプローブが、AFMの非破壊領域の圧力で測定試料に押し付けられた時に数ミリメートル程度たわみを発生する支持材先端についている構造を作製した。このプローブにより、厚さ4nmのPt膜へオーミックコンタクトが形成されること、プローブの接触部の素材であるAuにより試料が汚染されることがないこと、プローブを２つ用いて5層グラフェンの電気抵抗が測定できることを確認した。
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Research Products
(2 results)
