2014 Fiscal Year Annual Research Report
磁化誘起第二高調波発生による金ナノ構造における界面磁性の解明とナノ材料への応用
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25600006
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
米村 弘明 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40220769)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | 第二高調波発生 / 金ナノロッド / Langmuir-Blodgett法 / 交互吸着法 / プラズモン / アゾベンゼン / 磁化誘起第二高調波発生 / スチルバゾール |
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| Outline of Annual Research Achievements |
金ナノロッド（AuNR）は棒状の金ナノ粒子で異方的形状に由来した二つの表面プラズモン（SP） 吸収を持つ事が知られている。本研究では磁化誘起第二高調波発生（MSHG）を用いて、AuNR表面のスピンの存在を調べることを目的の一つとした。最終度は初年度で行ったSHG活性分子であるスチルバゾール誘導体（C18Stil）のSH強度に及ぼすAuNRの影響について検討すると共に、SHG活性分子としてアゾベンゼン誘導体（C12Azo）についても検討を行った。ガラス基板上に交互吸着法を用いてアニオン性ポリマー(PSS)で表面修飾した（PSS -AuNR）とカチオン性ポリマー（PEI）を浸漬によってn回繰り返し行いglass/(PEI/PSS-AuNR)nを得た。この基板にさらにPEI、PSSを浸漬によって固定した後に、Langmuir-Blodgett法によって、C18StilまたはC12Azoを一層固定してサンプル基板（glass/(PEI/PSS-AuNR)n/ PEI/PSS/C18Stil）を作製した。消失スペクトルにより積層回数を増加するにつれてAuNRの2つのSP吸収は大きくなった。次に、SHG測定を行うと、C18Stil によるSHGフリンジパターンが観測できた。AuNR層とC18Stil層の間の(PEI/PSS)n中間層の層数（n）を多くすると、C18StilのSH強度が増加した。しかしながら、AuNRによる大幅なSH強度の増加は観測できなかった。そこで、C12Azoについて同様のSHG測定を行った。AuNR有りの基板で、AuNR無しの基板よりも約1.3倍のSHG強度を観測した。しかしながら、AuNRによる大幅なSH強度の増加は観測できなかった。これはAuNRによる消光効果のためや増強電場の強い位置にC18StilおよびC12Azoを適切に配置できなかったためと考えられる。
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