2014 Fiscal Year Annual Research Report
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25630340
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| Research Institution | Shibaura Institute of Technology |
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Principal Investigator |
石崎 貴裕 芝浦工業大学, 工学部, 准教授 (50397486)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | マグネシウム / 二次電池 / 全固体 / 界面制御 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成26年度は以下の3項目に関する研究開発を行った。
（１）低温フラックスコーティング法によるMFO結晶層の集電体上への形成技術の確立：NaCl-KClフラックス法を用いて，MgとFe源からレアアースフリーの正極材料候補であるMgFe2O4結晶の合成条件の探索を行った。MgとFe源の濃度比，処理温度，溶質濃度をパラメータにして合成を行った結果，Mg:Fe=2:1，900℃，溶質濃度10と40mol%の条件の時に，単相のMgFe2O4結晶を合成できることを明らかにした。
（2）LLZO固体電解質結晶層形成技術の開発：LiNO3，La(NO3)3・6H2O，ZrO(NO3)・2H2Oを出発原料に用いて，水熱合成法によりLi7La3Zr2O12 (LLZO)結晶の前駆体を作製し，その後，加熱処理を行うことで，LLZO結晶の合成を行った。加熱処理温度を変化させた結果，900℃で合成したときに，単相のLLZO結晶を合成できることを明らかにした。また，合成したLLZO結晶の導電率測定を行い，900℃で合成したLLZOが最も高い導電性になることを明らかにした。
（3）MIB電池の構築と性能評価：上記の正極活物質，固体電解質および純Mg箔を用いて，MIB電池を構築した。この電池の充放電特性を調査した結果，充電は行われるものの，放電はしないという結果になった。これはMgイオンの拡散が十分に行われてないためであると考えられる。また，固体電解質のイオン導電率が低いことも要因の一つであると考えられる。
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