2015 Fiscal Year Annual Research Report
光励起重合法を用いたシリカおよびシルセスキオキサン膜の低温製膜と膜構造制御
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25630345
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
都留 稔了 広島大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20201642)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | シリカ膜 / 光ゾルゲル / 光酸発生剤 / 分離 / 薄膜製膜 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では, 熱エネルギーを用いない製膜法として, 紫外光の光励起によりゾル-ゲル反応を促進する光ゾル-ゲル法を用いた光製膜法を提案している. 光ゾル-ゲル反応では, 紫外光照射により光酸発生剤 (Photoacid generator, PAG) からH+を発生し, アルコキシシランの加水分解・縮重合反応が励起されると考えられる. 光重合は反応性が高く, 低温かつ短時間で硬化するため, 高分子基材など耐熱性の低い材料への製膜が期待される. 本年度は，光ゾル-ゲル反応特性評価を行い, 光ゾル-ゲル法により高分子基材上へシルセスキオキサン (Silsesquioxane, SQ, RSiO1.5)膜を低温製膜および透過特性評価を行うことを研究目的とした.
分離層にスルホン化ポリエーテルスルホン層 (SPES) を有するNTR-7450 (日東電工株式会社製, 有効膜面積: 2.3 cm2) を高分子基材として用い，分離層には架橋型アルコキシシラン, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane (BTMSE)，SiOC2H5基を有する1,2-bis (triethoxysilyl) ethane (BTESE)を用いた. H2O/IPA分離係数は99を示したことから，高分子基材への製膜可能であることが明らかとなった
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