2015 Fiscal Year Annual Research Report
プラズマCVDによる高ガスバリア膜合成プロセスの開発
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25630357
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
河瀬 元明 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60231271)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
井上 元 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (40336003)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | プラズマCVD / シリカ膜 / ヘキサメチルジシロキサン / PENフィルム / ガスバリア / ガス透過セル |
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| Outline of Annual Research Achievements |
高性能ガスバリア膜の合成を目的として，ヘキサメチルジシロキサン（HMDSO，(CH3)3SiOSi(CH3)3）とO2を原料としてプラズマCVD法によりポリエチレンナフタレート（PEN）フィルム上にシリカ系薄膜を作製した。また，昨年度作製したガス透過測定装置を用いて測定法の妥当性の検証とガスバリア性の評価を行った。
HMDSO分圧は0.27 Paとし，O2分圧を0～10.81 Pa，Ar分圧を0～29.73 Paとした。成膜時間は10～60分とした。プラズマ電源にはRFを用い，投入電力100 Wで平行平板電極間（間隔35 mm）にプラズマを発生させた。基板のPENフィルム（t 125 μm，Teonex，Teijin DuPont Films）を電極上に固定して製膜した。
ガス透過セル中央部に膜を挟み，供給側にO2ガスを供給した。封じた透過側に透過してきたガスを蓄積させ，四重極型質量分析計（QMS，Anelva，M-100GA-DM）で定量した。透過条件は40℃，RH = 0％で，供給側は全圧101.3 kPaまたは152.0 kPaで100％ O2流通条件とし，透過側は全圧101.3 kPaまたは152.0 kPaで100％ Arを封じて測定を開始した。
成膜前のPENフィルムでのO2透過量を測定し、文献データと比較することにより測定法の妥当性が確認された。
膜厚480 nmのSiOC膜のO2パーミアンスは2.27E-9 mol/(m2･d･Pa)であった。
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