2014 Fiscal Year Annual Research Report
一次元連結ハイブリッドドットのキャリア輸送・保持制御と高効率発光デバイス創成
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25709023
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
牧原 克典 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90553561)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | Si量子ドット |
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| Outline of Annual Research Achievements |
サイズおよび価電子を精密制御したIV半導体ナノ結晶（ドット）を自己整合的に一次元縦積み連結することで、一次元トンネル接合シリコン／ゲルマニウム量子ドットを創成し、接合ドット系固有の電子物性やこれに付随する新規機能を実験的に明らかにすることを第一の目標・目的とする。さらには、申請者らが独自考案した金属ナノドット手法を用いて、金属ナノドットと半導体ナノドットが極薄酸化膜を介して一次元トンネル接合したハイブリッドドットを新たに創成し、このハイブリッドドットにおけるキャリアダイナミクスを精査することで、高効率キャリア注入とキャリア閉じ込めを両立できる高輝度エレクトロルミネッセンス（EL）の実現を目指す。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
本年度は、Si量子ドットの価電子制御が発光特性に及ぼす影響を精査することで、高効率発光への指針が得られた。また、SiO2上に形成した極薄金属積層膜/SiおよびGe構造にリモート水素プラズマ照射することで、シリサイドおよびジャーマナイドナノドットが高密度(面密度: ~10^11/cm^2)に一括形成できることを明らかにした。
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| Strategy for Future Research Activity |
最終年度は、Ge量子ドットあるいはGeコアSi量子ドットにおける効果的な電子・正孔の閉じ込めを検証するため、Ge系量子ドットのサイズと発光特性の相関を明らかすると共に、初年度・次年度で得られた成果を踏まえ、価制御Si量子ドットあるいはGe系量子ドットと金属シリサイド（ジャーマナイド）ドットが極薄酸化膜を介して接合したハイブリッドドット系において高効率発光に向けた指針を得ると共に、超高密度化に挑戦し、高効率・高輝度ELを実現する。
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