2015 Fiscal Year Annual Research Report
垂直磁化細線における磁壁移動型ストレージデバイスの研究
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25709029
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
田中 輝光 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 助教 (20423387)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 垂直磁化細線 / マイクロマグネティックス |
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| Outline of Annual Research Achievements |
強磁性細線中に形成された磁壁の移動速度および移動中の磁壁構造変化を確認するための実験として本年度は以下のような研究成果を得た．
スピン流による磁壁 移動実験用の垂直磁化細線として新たにCoPd人工格子垂直磁化膜を作製した．従来から考えられている磁壁移動型デバイスとして用いられる磁性細線の作成には金属の下地層が必要であり，これにより電流による磁壁の移動の効率が低下していたため，絶縁体であるガラス基板上に直接，CoPdを成膜し，垂直異方性を付与することに成功した．しかし，作製したCoPd薄膜は磁化反転が回転磁化型に近く，磁壁移動デバイスとしては不利であると推測される結果が得られた．CoPdと同様にGdCoアモルファス薄膜をガラス基板上に作製したが，今のところ垂直異方性の弱い薄膜しかできおらず，現在，良好な垂直異方性を有する作成条件の探索を行っている．また，昨年度，スピン流による磁壁移動実験に成功したCoNi人工格子膜の磁壁移動による出力変化とマイクロマグネティック計算との比較を現在行っており，ベータ値の推定を試みている．
有限要素法計算によって求めた電流分布を，本年度開発に成功した３次元マイクロマグネティックシミュレータに取り入れてメアンダ型形状の磁壁移動ストレージデバイスの動作シミュレーションを行い，ビットシフトに対する電流マージンなどを明らかにした．さらに，同ストレージデバイスの３次元構造化を目指したマイクロマグネティック計算を行い，デバイス動作の検証を行った．
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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