ゲルマニウム半導体二次元シート結晶：ゲルマネンの創成

2014 Fiscal Year Research-status Report

• Project/Area Number: 25790056
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 竹内 正太郎 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (70569384)
• Project Period (FY): 2013-04-01 – 2016-03-31
• Keywords: HOPG表面 / アルミニウム / ラジカル窒素 / エッチング / ゲルマニウム

Outline of Annual Research Achievements

本研究課題は、IV族半導体：ゲルマニウム（Ge）を用いた二次元シート結晶：ゲルマネンを不活性・絶縁膜基板上に形成することを目的としている。以下に平成26年度に実施した研究成果を述べる。精密試料移動機構の不具合修理を行った。具体的には、試料高さ調整部の部品作製と位置調整、試料回転調整部の回転軸取替え、試料傾き調整部の歯車交換、試料通電加熱機構の修理である。また、金属蒸着に使用する電子線蒸着装置の不具合修理を行った。

Current Status of Research Progress

4: Progress in research has been delayed.

Reason

研究に使用する超高真空分子線エピタキシー装置の不具合、具体的には精密試料移動機構の不具合の修理および金属蒸着に使用する電子線蒸着装置の不具合の修理に多大な時間を要したため、計画通りに研究が進まなかった。現在はこれら不具合は解消されており、順調に研究・実験が進んでいる。

Strategy for Future Research Activity

H27年度は以下の点に注力していく予定である。
①HOPG基板表面へのAl蒸着後、走査型電子顕微鏡および反射高速電子線回折法を評価ツールとして、基板温度・Ge蒸着量を実験パラメータとすることでAl／HOPGテンプレート上にGeを成長しその初期成長過程を詳細に解析する。
②ゲルマネンの絶縁膜基板上への成長を念頭に、HOPG基板表面にAlNの結晶成長を行う。

Causes of Carryover

研究に使用する超高真空分子線エピタキシー装置の不具合、具体的には精密試料移動機構の不具合修理、および金属蒸着に使用する電子線蒸着装置の不具合修理に多大な時間を要したため、計画通りに研究が進まなかったことが未使用額の発生につながった。

Expenditure Plan for Carryover Budget

電子線蒸着装置の消耗品であるコネクタ・坩堝の購入、学会参加費、高純度金属原料の購入にあてる予定である。