2015 Fiscal Year Annual Research Report
マルチグループ輻射流体計算によるAGNトーラスから降着円盤へのガス供給過程の解明
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25800100
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| Research Institution | University of Tsukuba |
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Principal Investigator |
行方 大輔 筑波大学, 計算科学研究センター, 研究員 (40610043)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 活動銀河核 / 活動銀河核トーラス / 星間ガス / 輻射流体力学 / 数値シミュレーション |
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| Outline of Annual Research Achievements |
活動銀河核(AGN)は宇宙で最も明るい天体の1つであり、AGNからの輻射や相対論的ジェットは銀河の形成・進化に大きな影響を与えてきたと考えられている。このように、AGNの活動性の詳細な理解は、銀河形成を理解する上で欠かせない課題である。本研究はAGNの活動性の発現・維持機構に着目し、AGNダストトーラスから巨大ブラックホール降着円盤へのガス供給過程の解明を目指すものである。これに関係して、本年度は、前年度に開発した軸対称マルチグループ輻射流体計算コードを用いて、ガス供給がAGNの輻射で最も阻害される領域、すなわち、ダスト昇華半径付近でのガス構造、及び、そこからのアウトフロー率に関して調査を行った。その結果、以下の知見を得た：
(1) 準定常状態においては、ほぼ中性で、幾何学的に薄い(h/r<0.06 [hは円盤の厚みの半分、rは銀河半径])、高密度なガス円盤がダスト昇華半径付近に形成され、この円盤の表面から高速な(~200-3000 [km/s])アウトフローが吹く。
(2) アウトフロー率は、AGNのX線光度の割合やダストサイズに依存して、0.05-0.1 [太陽質量/年]の範囲を取る。これは質量-エネルギー変換効率が0.1の場合のEddington質量降着率の20-40%程度に相当する。
(3) 銀河半径1パーセク以内におけるアウトフローの水素柱密度は約10の21乗[個/平方センチメートル]である。
(4) AGNからの照射とダスト再放射だけでは、先行研究で提案されているような幾何学的に厚い遮蔽構造をダスト昇華半径付近に形成させるのは困難である。
上記研究結果は、国内の研究会等でコミュニティに報告するとともに、欧文雑誌に査読論文として受理され、現在印刷中である。
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Research Products
(7 results)
