2014 Fiscal Year Annual Research Report
高精細フレキシブルディスプレイに向けた塗布型薄膜トランジスタの低温作製技術開発
| Project/Area Number |
25820125
|
|---|
| Research Institution | Nara Institute of Science and Technology |
|---|
Principal Investigator |
石河 泰明 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授 (70581130)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2015-03-31
|
| Keywords | 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 塗布 / OHラジカル |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
当研究は、塗布型InZnOによる薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化を実現する新規作成手法を提案・実証するものである。これによりユビキタス社会にふさわしいフレキシブル基板上へのプリンテッドTFTの実現が可能になる。これまで酸素ラジカル照射を行うことで、InZnO内に含まれる炭素不純物低減に成功し、結果として、TFT特性の改善を実施してきた。酸化力が更に強いOHラジカルを導入することで、より炭素不純物を低減し、TFT特性改善を試みるのが当研究の目的の一つである。H25年度でにOHラジカル照射機構作製を試み、装置作製を完了させた。作製した装置はOHラジカル照射及びOラジカル照射に加え、ドライ酸素、ウェット酸素を300度の雰囲気に供給できる。
H26年度は、塗布型InZnO-TFTのデバイス特性向上にむけて、本装置を利用し検討した。Oラジカルに比べOHラジカル照射によるデバイス特性優位性は見られなかった。また、炭素不純物は双方でほとんど差はなかった。そこで、UV照射の影響を考慮にいれ、ウェット酸素とドライ酸素雰囲気による熱処理効果を検討した結果、ウェット酸素雰囲気の熱処理により、極めて高い歩留りを得られることが判明した。OH基の導入による酸素欠損領域の減少が確認され、移動度の向上、S値の低減効果も確認された。焼成温度低温化の効果は確認されなかった。
電極界面に対する考察も本研究課題の目的の一つである。InZnO-TFTに対し、塗布型銀電極及びスパッタ法による銀電極の差を検討した結果、スパッタ法で作製した場合、AgOと思われる界面層の形成が確認された。これによりデバイス特性の劣化が確認された。一方、塗布型銀電極の場合、その界面層が5nm程度と極めて薄く、比較的低い接触抵抗となることが判明した。以上から、InZnO-TFTに対しては、塗布型Ag電極が適している知見が得られた。
|
