2014 Fiscal Year Research-status Report
欠陥への電子捕獲により動作するグラフェンメモリの原理解明と性能向上に関する研究
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25871039
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| Research Institution | Kobe City College of Technology |
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Principal Investigator |
市川 和典 神戸市立工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (90509936)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | グラフェン / グラフェントランジスタ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
今年度はグラフェンへの欠陥導入とトランジスタプロセスの確立を目指し研究を行ってきた。研究初期段階では欠陥のないグラフェンに対しエッチング装置により欠陥を導入することを行ってきたが、グラフェン合成時の冷却プロセス中に水素を加えることによって容易に欠陥導入が可能であることが明らかとなった。
トランジスタのプロセス確立についてはバックゲート型トランジスタを作製し、グラフェン特有のV字型の特性を示しトランジスタ動作に成功している。更に研究をすることで従来の転写技術を用いない場合でも構造を工夫することで、トランジスタ動作する技術を開発し、当初の目的であるトランジスタ動作に加え、新たに新しい技術を開発することができた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
従来の研究目標に加え、論文の執筆や新たな技術を開発したことや更なる発展のための新規の研究テーマを得ることができたので、当初の計画以上に進展しているといえる。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後は今回欠陥導入したグラフェンをトランジスタ構造とすることで、メモリ動作を行う。それにより欠陥量とメモリ特性の関係を明らかにし、新原理で動作するグラフェンメモリとして学会等で世の中に情報を発信する予定である。
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