2025 Fiscal Year Comments on the Screening Results

日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発

Research Project

Project/Area Number	25H00725
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Tohoku University
Principal Investigator	吉川彰東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50292264)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	松岡隆志東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 学術研究員 (40393730) 姚永昭三重大学, 研究基盤推進機構, 教授 (80523935) 末光哲也東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90447186)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Scientific Significance and Expected Research Achievements	酸化ガリウムは、超高耐圧かつ低損失なパワーデバイスの実現が期待できる半導体であるが，現在のイリジウムを用いた結晶製造法ではコスト低減と高品質化の実現に大きな問題を抱えている。この課題を克服するため、OCCC法（Oxide Crystal growth from Cold Crucible）という新規な結晶成長手法を提案している。特に、酸化還元反応を抑制しつつ高純度かつ大直径のキラー欠陥フリー基板の製造を目指している点は学術的意義が認めれる。