2025 Fiscal Year Comments on the Screening Results

半導体薄膜レーザと多層導波路によるシリコン電子回路上３次元多波長高密度光源実現

Research Project

Project/Area Number	25H00735
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Institute of Science Tokyo
Principal Investigator	西山伸彦東京科学大学, 工学院, 教授 (80447531)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2030-03-31
Scientific Significance and Expected Research Achievements	電子回路基板上の低消費電力半導体薄膜レーザーとシリコンベースの多波長受動光回路の３次元集積により、回路・光源の作成を実証しようとする重要な研究と評価できる。単位面積当たりのデータ伝送密度を大幅に向上させるとともに、高温安定動作を実現できれば、大きな波及効果が期待できる。応募者のこれまでの研究成果に裏付けされた実現性のある研究計画となっており、シリコン電子回路上の高密度広帯域光伝送の実証が期待できる。