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2015 Fiscal Year Annual Research Report

ダイヤモンド表面キャリアによる電子スピン制御とその生体分子核スピン観測への応用

Research Project

Project/Area Number 26220903
Research InstitutionWaseda University

Principal Investigator

川原田 洋  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90161380)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 磯谷 順一  筑波大学, 名誉教授 (60011756)
小野田 忍  国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究副主幹 (30414569)
寺地 徳之  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 (50332747)
稲葉 優文  早稲田大学, 理工学術院, 助手 (20732407)
Project Period (FY) 2014-05-30 – 2019-03-31
Keywordsダイヤモンド / イオン注入 / スピン共鳴測定 / 生体分子 / NMR / NVセンター / MOSFET
Outline of Annual Research Achievements

1.表面近傍の窒素空孔マイナス(NV-)センターのコヒーレンス時間の測定
表面近傍にNVセンターを形成し、その状態を評価するため、不純物窒素濃度のきわめて低い(<1ppb)12C濃縮CVDダイヤモンド層に、15N+イオンを10keV以下の低エネルギーで注入し、CFM測定及びODMR測定を行った。加速エネルギーの異なる3条件(3, 6.5, 10keV:SRIMによる15N+の注入深さのシミュレーションで約5, 10, 15nmに相当)でのHahn echo測定の結果を比較すると、コヒーレンス時間(T2)の値は数十μsecから数百μsecに分布しているが、エネルギーが小さくなるほど低下する傾向が得られ、10keV以下の低エネルギーイオン注入によりNVセンターを形成した他のグループからの報告例と同程度またはより良い結果が得られた。T2の値にはばらつきが見られるのは、同じエネルギーでも窒素イオンの注入深さに広がりがあるためと考えられ、深さ方向の分布はSRIMによるシミュレーション結果からも確認される。
2.浅いNVセンターの電荷状態の安定化
浅いNVセンターは電荷状態が不安定であり、外部の影響から保護し安定させる必要がある。酸素終端でNV-となる浅いNVセンターを有する基板を水素終端し、NVセンターの電荷状態を下向きにバンド湾曲させ、その電子状態の制御性を検討した。具体的には、ショットキーダイオードに逆バイアスを印加し、バンドを下向きに湾曲させ、NV-の安定領域にフェルミ準位が位置するようにして水素終端表面でもNV-が安定に形成した。高純度な結晶(低窒素濃度の12C濃縮ホモエピタキシャル層)で実験を行い、表面付近のNVセンターの電荷状態の安定性が向上するか、NV0とNV-の制御が可能であるかを検討した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

表面または表面近傍の不対電子の電子スピン群が、コヒーレンス時間減少の要因であり、これらのフリップフロップ・ノイズが、電子スピン・核スピン・相互作用の観測の上で、大きな障害となる。まず水素終端構造を作製し、その後、オゾン処理で一部を酸素終端し、表面のポテンシャルを低下させ、やや下向きにバンド湾曲する表面状態を形成した。この表面で、浅いNVセンターの明確なラビ振動が再現性良く得られる条件を見出した。通常の酸素終端構造は、特にプラズマや高温で形成されたダイヤモンド表面は、表面バンドギャップ中に不対電子と関係する深い準位が形成される。水素終端構造は、被覆率、表面欠陥の少なさから最適構造であるが、負電荷の吸着物が付きやすく、表面ポテンシャルが上昇して、NV-が安定条件から外れる。水素終端後のソフトな部分酸化が浅いNV-センターに有利であることを見出した。これは、電子デバイスにおいてキャリア制御が可能な酸素被覆量であり、今後の進展が期待される。

Strategy for Future Research Activity

1.生体分子固定のためのダイヤモンド表面のアミノ終端化およびカルボキシル終端化による核酸の固定
部分的なアミノ終端構造を基本にしたDNAおよびRNA固定技術を検討する。この終端は従来のカルボキシル終端と比べ、高い表面被覆率が可能で、固定するDNA/RNAの密度が上昇する。水素終端ダイヤモンド表面からスタートしてその一部がアミノ終端となる構造である。ただし、水素終端を基礎する場合と、酸素終端あるいはフッ素終端を基礎とする場合には、アミノ化プロセスに違いがあり、どちらがダイヤモンド表面近傍のNV-の安定化に適しているかを検討する。蛍光マーカーを付けたDNA/RNAで位置や密度測定し、NV-の蛍光との相対位置関係あきらかにし、DNA/RNAの31Pの核スピンの検出を行っていく。
2.N-V軸が面に垂直なN-Vセンターによる高感度NMR測定
(111)面に成長したダイヤモンドでは、N-V軸が面に垂直なN-Vセンターが、他の3方向のN-Vセンターと比べ、支配的であるとされる。この方向は表面の核スピンとの相互作用も大きく、局所NMR観測に最適である。ただし、(111)面の成長は不純物が(001)面の成長に比べ、1-2桁、取り込まれやすい。従って、単一NVを所望の深さに得る基板作製には、これまでよりも、高真空、高純度環境、高重度ガスの利用が必要となる。このような問題点をクリアし、(111)面での浅いN-Vセンターの形成を行う。

  • Research Products

    (70 results)

All 2016 2015 Other

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results) Presentation (64 results) (of which Int'l Joint Research: 37 results,  Invited: 8 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Space-charge-controlled field emission model of current conduction through Al2O3 films2016

    • Author(s)
      A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 119 Pages: 064505/1-13

    • DOI

      10.1063/1.4941547

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of high-temperature H2O-grown atomic layer deposition-Al2O3 films2015

    • Author(s)
      A. Hiraiwa, T. Saito,D. Matsumura, H. Kawarada
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 117 Pages: 215304/1-10

    • DOI

      10.1063/1.4921824

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] New application of NV centers in CVD diamonds as a fluorescent nuclear track detector2015

    • Author(s)
      Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, and Takeshi Ohshima
    • Journal Title

      Phys. Status Solidi A

      Volume: 212 Pages: 2641-2644

    • DOI

      10.1002/pssa.201532219

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High-quality and high-purity homoepitaxial diamond (100) film growth under high oxygen concentration condition2015

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 118 Pages: 115304 1-8

    • DOI

      10.1063/1.4929962

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Homoepitaxial diamond film growth: High purity, high crystalline quality,isotopic enrichment, and single color center formation2015

    • Author(s)
      Tokuyuki Teraji, Takashi Yamamoto, Kenji Watanabe, Yasuo Koide, Junichi Isoya, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Lachlan J. Rogers, Fedor Jelezko, Philipp Neumann
    • Journal Title

      Phys. Status Solidi A

      Volume: 212 Pages: 2365--2384

    • DOI

      10.1002/pssa.201532449

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] High Purity and High Quality Homoepitaxial Diamond Growth for Power Device Application2016

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Organizer
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Phoenix, Arizona, USA
    • Year and Date
      2016-03-31
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Physical Properties of Superconducting Boron-Doped Diamonds2016

    • Author(s)
      T.Kageura, M.Shibata, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada
    • Organizer
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Phoenix, Arizona, USA
    • Year and Date
      2016-03-28 – 2016-04-01
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Normally-Off C-H Diamond MOSFET with the Breakdown Voltage of Above 2000V2016

    • Author(s)
      H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Shibata, Y.Hayashi, A.Hiraiwa
    • Organizer
      2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Phoenix, Arizona, USA
    • Year and Date
      2016-03-28 – 2016-04-01
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の 作製に向けたジョセフソン接合の直流 交流ジョセフソン効果の観測2016

    • Author(s)
      日出幸昌邦, 蔭浦泰資, 柴田将暢, 北林祐哉, 笹間陽介, 山口尚秀, 高野義彦, 川原田洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 磁気センサー応用に向けた単一のNVセンターの作製と状態の評価2016

    • Author(s)
      山野颯、加藤かなみ、蔭浦泰資、稲葉優文、東又格、小池悟大、春山盛善、谷井孝至、小野田忍、寺地徳之、加田渉、花泉修、 磯谷順一、川原田洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 縦型構造トレンチチャネルC-HダイヤモンドMOSFET(Ⅱ)2016

    • Author(s)
      牟田翼、斎藤 俊輝、工藤 拓也、北林 祐哉、松村 大輔、牛 俊雄、稲葉 優文、平岩 篤、川原田洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 高耐圧・高電流密度を有する ノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET2016

    • Author(s)
      工藤 拓也, 北林 祐哉, 山田 哲也, 許 德&#29723;, 斎藤 俊輝, 松村 大輔, 林 佑哉, 瀬下 裕志, 平岩 篤, 川原田 洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] ゲート型ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETの電流電圧特性2016

    • Author(s)
      五十嵐 圭為、楢村 卓朗, モフドスクリ シャイリ, 稲葉 優文, 新谷 幸弘, 平岩 篤, 川原田 洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 表面終端による浅いNVセンターの電荷状態2016

    • Author(s)
      加藤 かなみ、山野 颯、蔭浦 泰資、瀬下 裕志、稲葉 優文、東又 格、小池 悟大、谷井 孝至、磯谷 順一、寺地 徳之、小野田 忍、春山 盛善,加田 渉、花泉 修、川原田 洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの高電圧印加による電流特性変化2016

    • Author(s)
      牛俊雄, 許德&#29723;,山田哲也,北林祐哉,斎藤俊輝,柴田将暢,松村大輔,工藤拓也,稲葉優文,平岩篤,川原田洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] ダイヤモンドへの高温アニールにより作製した垂直配向グラファイト2016

    • Author(s)
      稲葉 優文, 費 文茜, 平野 優, 鈴木 和真, 川原田 洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 原子層堆積(ALD)温度を変えて形成したAl2O3膜の電気特性2016

    • Author(s)
      平岩 篤、松村 大輔、川原田 洋
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 量子ビームを活用したダイヤモンド中のカラーセンター形成技術の現状2016

    • Author(s)
      小野田 忍 春山 盛善, 寺地 徳之, 磯谷 順一,小池 悟大, 東又 格, 稲葉優文, 山野 楓, 加藤 かなみ,Christoph M&#252;ller, Liam McGuinness, Priyadharshini Balasubramanian, Boris Naydenov, Fedor Jelezko, 佐藤 真一郎, 大島 武, 加田 渉 花泉 修, 谷井 孝至, 川原田 洋
    • Organizer
      物理学会第71回年次大会
    • Place of Presentation
      東北学院大学(宮城県)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
    • Invited
  • [Presentation] ダイヤモンドのNVセンターを用いる超高感度NMR2016

    • Author(s)
      磯谷順一, 角谷 均, Jochen Scheuer, Ilai Schwartz, Qiong Chen, David Schulze-S&#252;nninghausen, Patrick Carl, Peter H&#246;fer, Alexander Retzker, Burkhard Luy, Martin B. Plenio, Boris Naydenov, Fedor Jelezko
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 酸素添加条件で成長したホモエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜中の欠陥評価2016

    • Author(s)
      寺地徳之、渡邊賢司
    • Organizer
      第63回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] 超高純度ダイヤモンドの成長とカラーセンターの極微量濃度制御2016

    • Author(s)
      寺地徳之
    • Organizer
      物理学会第71回年次大会
    • Place of Presentation
      東北学院大学(宮城県)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
    • Invited
  • [Presentation] Diamond functionalization for Biosensing Application2016

    • Author(s)
      E. Suaebah, T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada
    • Organizer
      2016. The 6th Basic Science International Meeting
    • Place of Presentation
      Malang, Indonesia
    • Year and Date
      2016-03-02 – 2016-03-03
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor2016

    • Author(s)
      E. Suaebah, T. Naramura,H. Kawarada
    • Organizer
      2016. The 6th Basic Science International Meeting
    • Place of Presentation
      Malang, Indonesia
    • Year and Date
      2016-03-02 – 2016-03-03
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High-Reliability SiO2 Films Formed on Diamond by Thermal Oxidation of Si2015

    • Author(s)
      T. Hara, A. Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV Breakdown Voltage and >190mA/mm Current Density2015

    • Author(s)
      Y. Kitabayashi, T. Yamada, Dechen Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Device Simulation of C-H Diamond MOSFETs based on 2DHG formed by 2D Fixed Negative Charge2015

    • Author(s)
      M.Shibata, Y.Kitabayashi, A.Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Structural and Electrical Properties of Double-Domain Heteroepitaxial AlN on (001) Diamond Substrate2015

    • Author(s)
      Y. Hayashi, W. Ono, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High-Temperature Electric-Insulation Characteristics of High-Temperature-ALD-Grown Al2O3 Films2015

    • Author(s)
      D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Trench-Channel Vertical MOSFET Using C-H Diamond Surface2015

    • Author(s)
      T. Saito、M. Kobayashi, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Diamond based Biosensor on Direct Carboxyl Termination for Biomolecule Activation2015

    • Author(s)
      E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Hasegawa, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High Voltage Breakdown 1.8 kV Hydrogenated Black Diamond Field Effect Transistor2015

    • Author(s)
      M.Syamsul.N.B.S.B, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, T. Saito, H. Kawarada
    • Organizer
      2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2015-11-29 – 2015-12-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 表面終端と空乏層による浅いNVセンターの電荷状態2015

    • Author(s)
      加藤かなみ,山野颯,蔭浦泰資,柴田将暢,稲葉優文,小池悟大, 谷井孝至,磯谷順一,小野田忍, 寺地徳之,川原田洋
    • Organizer
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      東京理科大学葛飾キャンパス(東京都)
    • Year and Date
      2015-11-17 – 2015-11-19
  • [Presentation] 高耐圧・高電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET2015

    • Author(s)
      工藤拓也, 北林 祐哉, 山田 哲也, 許 德&#29723;, 斎藤 俊輝, 松村 大輔, 林 佑哉, 平岩 篤, 川原田 洋
    • Organizer
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      東京理科大学葛飾キャンパス(東京都)
    • Year and Date
      2015-11-17 – 2015-11-19
  • [Presentation] ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の特性評価2015

    • Author(s)
      日出幸昌邦, 蔭浦泰資, 柴田将暢, 北林祐哉, 笹間陽介, 山口尚秀, 高野義彦, 川原田洋
    • Organizer
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      東京理科大学葛飾キャンパス(東京都)
    • Year and Date
      2015-11-17 – 2015-11-19
  • [Presentation] 表面水素終端化による浅いNVセンターへの影響2015

    • Author(s)
      山野颯, 山野 颯,稲葉優文,蔭浦泰資,加藤かなみ,小池悟大,谷井孝至,小野田 忍,寺地徳之,磯谷順一,川原田 洋
    • Organizer
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      東京理科大学葛飾キャンパス(東京都)
    • Year and Date
      2015-11-17 – 2015-11-19
  • [Presentation] keVからGeVのイオン注入を用いて形成したNVセンターの特性評価2015

    • Author(s)
      小野田 忍,春山盛善,寺地徳之,磯谷順一,C. M&#252;ller, L. McGuinness, P. Balasubramanian, B. Naydenov, F. Jelezko,小池悟大,東又格,稲葉優文,大島 武,加田 渉,花泉 修,谷井孝至,川原田 洋
    • Organizer
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      東京理科大学葛飾キャンパス(東京都)
    • Year and Date
      2015-11-17 – 2015-11-19
  • [Presentation] New High-Temperature Instability of ALD-Al2O3 MIS Capacitors2015

    • Author(s)
      D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada
    • Organizer
      IWDTF (International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • Place of Presentation
      Miraikan, National Museum of Emerging Science and Innovation, Tokyo
    • Year and Date
      2015-11-02 – 2015-11-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Direct Partial CH3 Termination into Carboxyl2015

    • Author(s)
      Evi Suaebah, T. Naramura, H. Kawarada
    • Organizer
      IEEE SENSORS 2015
    • Place of Presentation
      Busan, South Korea
    • Year and Date
      2015-11-01 – 2015-11-04
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High quality homoepitaxial diamond growth by chemical vapor deposition for high-performance electronic devices2015

    • Author(s)
      T. Teraji,
    • Organizer
      IUMRS-ICAM2015
    • Place of Presentation
      ICC JEJU, KOREA
    • Year and Date
      2015-10-27
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] All-solid-State pH Sensor utilizing Termination-controlled Boron-doped Diamond Surface as pH-sensitive/pH-less-sensitive Interface2015

    • Author(s)
      Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada
    • Organizer
      The 66th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry
    • Place of Presentation
      Taiwan
    • Year and Date
      2015-10-04 – 2015-10-09
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characterization of Polycrystalline Doped-diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor with/without termination control2015

    • Author(s)
      Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada
    • Organizer
      The 66th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry
    • Place of Presentation
      Taiwan
    • Year and Date
      2015-10-04 – 2015-10-09
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 1.7 KV Breakdown C-H Diamond MOSFETs with High Drain Current Density2015

    • Author(s)
      Y. Kitabayashi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa and H.Kawarada
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      2015-09-27 – 2015-09-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Effect of Stacking Faults on Magnetic Flux Pinning in BoronDoped Superconducting Diamond Films2015

    • Author(s)
      M. Shibata, T. Kageura, T. Yamaguchi, Y. Takano, and H. Kawarada
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      2015-09-27 – 2015-09-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Trench-channel MOSFET using C-H Diamond Surface2015

    • Author(s)
      T. Saito, M. Kobayashi, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa,and H. Kawarada
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      2015-09-27 – 2015-09-30
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ultrapure Diamond Growth by Chemical Vapor Deposition2015

    • Author(s)
      T. Teraji,
    • Organizer
      SSDM2016
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      2015-09-27 – 2015-09-30
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 絶縁破壊電圧1.7 kVおよび電流密度~200 mA/mmのC-HダイヤモンドMOSFET (C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV breakdown voltage and >200mA/mm current density)2015

    • Author(s)
      工藤 拓也, 北林 祐哉, 山田 哲也, 許 德&#29723;, 斎藤 俊輝, 松村 大輔, 柴田将暢, 平岩 篤, 川原田 洋
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の特性評価2015

    • Author(s)
      日出幸 昌邦、蔭浦 泰資、柴田 将暢、北林 祐哉、山口 尚秀、高野 義彦、川原田 洋
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 2次元固定負電荷誘起による2DHGを用いたC-HダイヤモンドMOSFETデバイスシミュレーション2015

    • Author(s)
      柴田 将暢、許 德&#29723;、北林 祐哉、平岩 篤、川原田 洋
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] ダイヤモンド上への高信頼熱酸化 SiO2膜の形成2015

    • Author(s)
      原 壮志、平岩 篤、川原田 洋、
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 縦型構造トレンチチャネル C-H ダイヤモンド MOSFET2015

    • Author(s)
      斎藤 俊輝, 小林 幹典, 北林 佑哉, 松村 大輔,稲葉 優文, 平岩 篤, 川原田 洋
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 黒ダイヤモンドを用いた電解質溶液ゲートFETの電気的特性評価2015

    • Author(s)
      楢村 卓朗, モフドスクリ シャイリ, 稲葉 優文, 小林 幹典, 新谷 幸弘, 平岩 篤, 川原田 洋
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] 超伝導ダイヤモンド中の格子緩和による積層欠陥の導入と磁束ピンニングの観測2015

    • Author(s)
      蔭浦 泰資 、柴田 将暢、山口 尚秀、高野 義彦、川原田 洋
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] Hydrogenated Black Diamond FET with high voltage breakdown of 1.8kV2015

    • Author(s)
      M.Syamsul N.S.B., Kitabayashi Yuya , Daisuke Matsumura, Toshiki Saito, Hiroshi Kawarada
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] High Voltage H-terminated Diamond MOSFETs using 2D Hole Gas with >1600V Breakdown and High Current Density2015

    • Author(s)
      H. Kawarada T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa
    • Organizer
      International Conference on Diamond and Carbon Materials
    • Place of Presentation
      Bad Homburg, Germany
    • Year and Date
      2015-09-06 – 2015-09-10
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Diamond transistors and superconducting devices for N-V center research2015

    • Author(s)
      H. Kawarada
    • Organizer
      Diamond Quantum Sensing Workshop 2015
    • Place of Presentation
      Takamatsu, Kagawa, Japan
    • Year and Date
      2015-08-05 – 2015-08-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Diamond surface fluorescence for device sensing2015

    • Author(s)
      M. Inaba, H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Shibata, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, T. Tanii, H. Kawarada
    • Organizer
      Diamond Quantum Sensing Workshop 2015
    • Place of Presentation
      Takamatsu, Kagawa, Japan
    • Year and Date
      2015-08-05 – 2015-08-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Physical properties of superconducting diamond for quantum devices2015

    • Author(s)
      T.Kageura, M.Shibata, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada
    • Organizer
      Diamond Quantum Sensing Workshop 2015
    • Place of Presentation
      Takamatsu, Kagawa, Japan
    • Year and Date
      2015-08-05 – 2015-08-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Material science approach in diamond quantum device development” “Diamond Quantum Sensing Workshop2015

    • Author(s)
      Junichi Isoya
    • Organizer
      Diamond Quantum Sensing Workshop 2015
    • Place of Presentation
      Takamatsu, Kagawa, Japan
    • Year and Date
      2015-08-05 – 2015-08-07
  • [Presentation] Diamond film growth for formation of single photon source2015

    • Author(s)
      T. Teraji,
    • Organizer
      Diamond Quantum Sensing Workshop 2015
    • Place of Presentation
      Takamatsu, Kagawa, Japan
    • Year and Date
      2015-08-05 – 2015-08-07
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Lattice strain analysis of superconducting boron doped diamond2015

    • Author(s)
      T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y. Takano , H. Kawarada
    • Organizer
      The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan
    • Year and Date
      2015-07-29 – 2015-07-29
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Reproducible Growth of Homoepitaxial Diamond Thicker (>10 &#181;m) Film with Low Defect Density2015

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Organizer
      3rd - French-Japanese workshop on diamond power devices
    • Place of Presentation
      C-Suite hotel, Nimes, France
    • Year and Date
      2015-07-08
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] High-reliability Passivation of Diamond Surface Conduction Layer Using High-temperature H2O-oxidant ALD Growth of Al2O32015

    • Author(s)
      A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, and H. Kawarada
    • Organizer
      AVS 15th International Conference on Atomic Layer Deposition
    • Place of Presentation
      Portland, USA
    • Year and Date
      2015-06-28 – 2015-07-01
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Diamond Power MOSFETs with >1600V Breakdown Voltages and High Current Density2015

    • Author(s)
      H. Kawarada
    • Organizer
      2015 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2015)
    • Place of Presentation
      Xi'an, China
    • Year and Date
      2015-06-12 – 2015-06-15
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Lattice strain dependence of superconducting boron-doped diamond thin film critical thickness2015

    • Author(s)
      T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada
    • Organizer
      AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan
    • Year and Date
      2015-06-09 – 2015-06-09
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Diamond Surface Functionalization Via Carboxyl Termination for ATP 16 Detection2015

    • Author(s)
      E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Inaba, X. Wang, R. A. Rahim, H. Kawarada
    • Organizer
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • Place of Presentation
      Shizuoka, Japan
    • Year and Date
      2015-05-24 – 2015-05-28
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High power diamond MOSFETs with >1600V breakdown and >100mA/mm current density2015

    • Author(s)
      H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, T. Saito, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa
    • Organizer
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • Place of Presentation
      Shizuoka, Japan
    • Year and Date
      2015-05-24 – 2015-05-28
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of Al2O3 formed using a high-temperature H2O-oxidant ALD method2015

    • Author(s)
      A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, H. Kawarada
    • Organizer
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • Place of Presentation
      Shizuoka, Japan
    • Year and Date
      2015-05-24 – 2015-05-28
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Lattice Strain Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Film by X-ray Diffraction2015

    • Author(s)
      T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y.Takano , H.Kawarada
    • Organizer
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • Place of Presentation
      Shizuoka, Japan
    • Year and Date
      2015-05-24 – 2015-05-28
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Homoepitaxial diamond film growth for single color centers2015

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Organizer
      9th International Conference on New Diamond & Nano Carbon &#8211;NDNC2015
    • Place of Presentation
      Shizuoka, Japan
    • Year and Date
      2015-05-24 – 2015-05-28
    • Int'l Joint Research
  • [Remarks] 早稲田大学 川原田研究室Web Site

    • URL

      http://www.kawarada-lab.com/index.html

URL: 

Published: 2017-01-06  

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