2015 Fiscal Year Annual Research Report
Thick and high quarity InGaN growth by THVPE
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26246018
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
纐纈 明伯 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 理事 (10111626)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | HVPE / THVPE / InGaN三元混晶 / 窒化物半導体 / 気相成長 / 発光素子 / 太陽電池 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
In(x)Ga(1-x)Nは、InNおよびGaNの窒化物二元化合物結晶からなる三元混晶である。結晶組成（混晶中のInN組成）を変化させることにより光の波長として365nmから1700nmまで自由に変化させることができる。この三元混晶は上記のような優れた潜在能力を有する材料であるが、残念なことにInN組成20%以上の高品質結晶が得られていない状態である。本研究では、申請者らが考案した新しい原料分子を用いるTHVPE成長法により世界的にも実現していない全組成領域での厚膜・高品質なInGaN混晶の創成を目的として研究を行ってきた。
本年度の研究目的および実績を下記に示す。
１．成長条件と成長速度および成長組成の関係を明らかにする。：平成２６年度から続けているInGaN混晶のTHVPE成長における熱力学解析を進め、成長温度、原料濃度および原料供給比と成長速度および成長組成の関係を明らかにした。２．最適な初期基板結晶の決定： 最適な初期基板結晶の探索を行いGaN自立基板結晶 -C面(000-1)が最適であることを明らかにした。 ３．高品質厚膜結晶の作製のための成長装置改修：1ミクロン以下の膜厚で組成を少しづつ変化させ成長するステップグレード法を応用するための成長装置（特に、石英反応管）の改修を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
装置改修に関して、石英反応菅の設計および作製に遅れが生じたため、改修の一部をH28年度５月までに延長した。
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| Strategy for Future Research Activity |
H28年度４月に予定通り装置改修が終了し、H28年度の予定に沿って研究を推進した。
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