2015 Fiscal Year Annual Research Report
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26286040
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
三成 剛生 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA独立研究者 (90443035)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 有機半導体デバイス / 印刷エレクトロニクス / 有機トランジスタ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
溶液プロセスで低抵抗の電極／有機半導体界面を実現できる印刷技術を開発し、OTFT特有のコンタクト抵抗を低減することで、プリンテッドエレクトロニクスによって実用可能な動作特性を有する素子を実現することを目標としている。ここまでの成果によって、すでに1umのライン・スペースで電極配線を形成する印刷技術を確立し、印刷による電極界面へのドーパント注入技術を開発した。その結果、コンタクト抵抗は1 korm cm以下まで低減できており、完全印刷有機トランジスタの移動度13 cm2 V-1 s-1を実現している。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
H27年度は独自の超微細印刷技術を開発し、当初目標であったライン・スペース10umを1桁も凌駕するライン・スペース1umを達成した。この成果はAdvanced Materials誌に採択が決定している。さらに電極界面へのドーパント注入技術を開発することで、完全印刷トランジスタの移動度13 cm2 V-1 s-1を実現し、当初の目標であった移動度10 cm2 V-1 s-1はすでに達成された。以上の理由により、当初の計画以上に研究が進展していると判断した。
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| Strategy for Future Research Activity |
本提案の室温印刷プロセスは、一切の真空プロセスおよび加熱を必要としないため、生体のような特に真空や熱に弱い材料の表面にも素子を形成することができる。医療応用を目指し、生体材料への素子の印刷技術を確立する。また、H27年度に開発した印刷有機トランジスタの特性は、すでにアモルファスシリコンを凌駕して酸化物半導体に迫るものであり、フレキシブル・ディスプレイの周辺回路も含めて設計することが可能である。本研究においては、ディスプレイ用アクティブマトリックス回路に加えて、完全印刷トランジスタによる論理回路の形成を行う。
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| Causes of Carryover |
ブレードコート式の有機半導体塗布装置の購入を計画しているが、従来よりも非常に遅い0.1mm/s以下での動作が必要であり、現在はメーカーが開発中であるため。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
メーカーの開発が完了次第、ブレードコート式の有機半導体塗布装置の購入する。
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[Journal Article] Role of growth temperature on the frequency response characteristics of pentacenebased organic devices2015
Author(s)
Y. Shao, Y. Zhang, W. He, C. Liu, T. Minari, S. Wu, M. Zeng, Z. Zhang, X. Gao, X. Lu, M. Liu
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Journal Title
Semiconductor Science and Technology
Volume: 30
Pages: 035005
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
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