強誘電性と導電性の共存を利用した強誘電抵抗スイッチングの物理的機構に関する研究

Products Report

• Project/Area Number: 26286055
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Partial Multi-year Fund
• Section: 一般
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: Sawa Akihito 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 副研究部門長 (10357171)
• Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha): YAMADA Hiroyuki 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (00415762)
• Project Period (FY): 2014-04-01 – 2017-03-31

Research Products

• [Patent(Industrial Property Rights)] トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 (2020)
  • Inventor(s): 山田 浩之, 澤 彰仁
  • Industrial Property Rights Holder: 産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2016-193011
• [Patent(Industrial Property Rights)] 不揮発性メモリ素子 (2019)
  • Inventor(s): 山田 浩之, 澤 彰仁
  • Industrial Property Rights Holder: 産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2015-001745
• [Patent(Industrial Property Rights)] トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 (2016)
  • Inventor(s): 澤 彰仁, 山田 浩之
  • Industrial Property Rights Holder: 産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 願2016-193011
  • Filing Date: 2016-09-30