• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2015 Fiscal Year Annual Research Report

異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究

Research Project

Project/Area Number 26289107
Research InstitutionThe University of Tokushima

Principal Investigator

永瀬 雅夫  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 関根 佳明  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学部, 研究主任 (70393783)
影島 博之  島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (70374072)
大野 恭秀  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90362623)
Project Period (FY) 2014-04-01 – 2017-03-31
Keywords電子デバイス / ナノ材料 / グラフェン / 異種機能集積化 / ナノコンタクト
Outline of Annual Research Achievements

グラフェン異種機能集積化デバイスの実現を目指して各種の検討を進めた。
1.グラフェンデバイス化基盤プロセス技術の確立:前年度までに確立した高品質グラフェンを用いて、各種のデバイス化プロセスがグラフェンに与える影響について検討を行った。各種のデバイスプロセス中で水洗(超純水処理)の影響が非常に大きいことを見いだした。各種の実験の結果、超純水処理によりグラフェン表面に安定な吸着水構造が形成されることが判った。
2.複合物性デバイス化の検討:グラフェンの機能化の検討の一環としてグラフェンと同様な二次元材料である二硫化モリブデン(MoS2)とグラフェンの接合特性の取得を行った。SiC上グラフェン(10mm角)にMoS2を剥離法で転写し、走査プローブ顕微鏡の導電性プローブをコンタクト電極として用いることにより複雑なデバイス化プロセスを用いる事無く、金属ーMoS2ーグラフェンのヘテロ接合系の電気特性の検討を行うことが出来た。
3.異種機能集積化デバイスの検討:集積化デバイス実現に向けて最小限のリソグラフィ技術を用いたデバイス化技術の構築を行った。コンタクトピンで直接コンタクトとった各種グラフェンデバイスの計測を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

これまでに確立した高品質グラフェン技術の活用を進めることにより、これまでに無い知見が得られている。プロセス技術の基盤である水洗処理による影響を明らかにできたことは今後のデバイス化プロセス技術の構築に大きく寄与する。さらに、吸着水層による機能化の端緒を得ており、今後の展開が期待される。また、機能集積化の基盤技術となる各種接合の特性の把握についても順調に進んでいる。

Strategy for Future Research Activity

大面積高品質グラフェンの特徴を活かした検討を進める。超純水処理による吸着水構造の詳細の解明を進めるとともに、その環境センサ応用を目指す。また、SiC上グラフェンとの各種材料のコンタクト特性を把握して、その機能デバイス応用への路を探索する。

Causes of Carryover

ラマンモジュールの購入金額が予定より少なかったため。

Expenditure Plan for Carryover Budget

ラマンモジュールの機能向上に充てる。

  • Research Products

    (10 results)

All 2016 2015 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene2015

    • Author(s)
      R. O, M. Takamura, K. Furukawa, M. Nagase and H. Hibino
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 54 Pages: 036502

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.036502

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] エピタキシャルグラフェン上の吸着水層2016

    • Author(s)
      中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 永濱 拓也, 北岡 誠, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-22
  • [Presentation] ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究2016

    • Author(s)
      楊 順涵, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-22
  • [Presentation] SiC 上グラフェンに堆積した金ナノ粒子の SERS 効果2016

    • Author(s)
      松村 尚知, 柳谷 伸一郎, 古部 昭広, 岸川 博紀, 後藤 信夫, 永瀬 雅夫
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-21
  • [Presentation] Electron emission using multilayered-graphene/SiO2/Si heterodevice driven with low-voltage supply in low vacuum2015

    • Author(s)
      D. Yoshizumi, K. Nishiguchi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara and M. Nagase
    • Organizer
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • Year and Date
      2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates2015

    • Author(s)
      Y. Ohno, M. Nagase and M. Kazuhiko
    • Organizer
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • Year and Date
      2015-11-12
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique2015

    • Author(s)
      T. Aritsuki, T. Nakashima, K. Kobayashi, Y. Ohno and M. Nagase
    • Organizer
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
    • Place of Presentation
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • Year and Date
      2015-11-12
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製2015

    • Author(s)
      大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 松本 和彦
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋)
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-15
  • [Presentation] 雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化2015

    • Author(s)
      永濱 拓也, 小林 慶祐, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋)
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-15
  • [Remarks] 永瀬・大野研究室 科研費報告

    • URL

      http://graphene.ee.tokushima-u.ac.jp/kaken.html

URL: 

Published: 2017-01-06  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi