2016 Fiscal Year Annual Research Report
Research on nanoscale photovoltaics and optoelectronics by dynamic high resolution TEM observations
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26289244
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
Dmitri Golberg 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主席研究員 (80354405)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
三留 正則 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主席研究員 (50354410)
川本 直幸 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (70570753)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 透過電子顕微鏡法 / その場観察 / ナノワイヤ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
フリースタンディングな1本のCdSナノワイヤの光電気計測を行うために、高分解能透過電子顕微鏡法（HRTEM）、光ファイバーの透過電子顕微鏡（TEM）内への導入による光照射技術、微小探針操作による試料の機械的変形および微小領域の電気計測をTEM内で組み合わせる新たな研究・開発を進めてきた。微小電気計測と高分解能像の同時計測手法により、ナノスケール試料の構造的特徴と、光照射された試料に誘起された電流を、曲げ変形の存在下で同時計測することに成功した。その結果、試料であるCdSナノワイヤが変形していない状態および変形が回復した状態のものと比較することで、弾性的に曲がったCdSナノワイヤが統計的に不変の電気的挙動を示すことが明らかとなった。また、HRTEM像を観察したところ、ナノワイヤを曲げた後、曲げ変形により導入される欠陥により生じたカットオフ吸収波長が、数ナノメートルでシフトする様子が明らかになった。すなわち本結果は、湾曲したCdSナノワイヤの優れた安定性を示唆しており、CdSナノワイヤがフレキシブル光電子材料として有望な候補であることを裏付けている。
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| Research Progress Status |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(7 results)
