2016 Fiscal Year Annual Research Report
Establishment of core technology of embedding heterogeneity materials into high-aspect ratio diffractive grating by using supercritical CO2 fluids
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26289294
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
北條 大介 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 (30511919)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
矢代 航 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (10401233)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 気・液・固・超臨界流体反応操作 / ナノ粒子超格子 / 中性子位相イメージング |
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| Outline of Annual Research Achievements |
「超臨界CO2分散ナノ粒子の合成」
昨年度に引き続き、超臨界CO2に分散するGd2O3ナノ粒子の合成を行った。
昨年度、オレイン酸を直接溶媒として使用したソルボサーマル条件において、オレイン酸修飾Gd2O3ナノ粒子の合成に成功している。（粒径3ナノメートル）これは、高アスペクト比吸収型中性子回折格子作製のためのGd材料として使用するナノ粒子のコア材料になる。次に、オレイン酸修飾ナノ粒子をリガンド交換法を用いることで、超臨界CO2に分散するGd2O3ナノ粒子の合成を行った。リガンドとして、種々のリガンドを試行錯誤した結果、Hexafluoroacetylacetonatoを使用することで、超臨界CO2に分散するHexafluoroacetylacetonato修飾Gd2O3ナノ粒子の合成に成功した。超臨界CO2の条件は40℃、12 MPaであり、次の課題であるGd2O3ナノ粒子を回折格子に充填するのにおいて、パターンの倒れ等の問題のない条件である。
「超臨界CO2プロセスを用いた新規ナノ粒子充填法の開発」
今年度は、実際の中性子位相イメージングに使用するための高アスペクト比吸収型中性子回折格子へのGd2O3ナノ粒子の埋め込みを行う前段階として、シリコン基板上へのナノ粒子の堆積を行った。超臨界CO2に分散するHexafluoroacetylacetonato修飾Gd2O3ナノ粒子を用い、ナノ粒子を超臨界CO2に分散させた。シリコン基板を局所的に冷却することで、基板上でナノ粒子の分散性が低下することでデポが可能であることが分かった。
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| Research Progress Status |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Causes of Carryover |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Journal Article] Electric Properties of Dirac Fermion Captured into 3D Graphene-Network in High Quality Graphene Sponge2016
Author(s)
Y. Tanabe, Y. Ito, K. Sugawara, D. Hojo, M. Koshino, T. Fujita, T. Aida, X. Xu, K. K. Huynh, H. Shimotani, T. Adschiri, T. Takahashi, K. Tanigaki, H. Aoki, and M. Chen
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Journal Title
Adv. Mater.
Volume: 28
Pages: 10304-10310
DOI
Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
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