2014 Fiscal Year Research-status Report
多レベルセルフラッシュメモリ用多値単方向誤り制御符号の研究
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26330059
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| Research Institution | Chiba University |
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Principal Investigator |
北神 正人 千葉大学, 融合科学研究科(研究院), 准教授 (20282832)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 誤り訂正符号 / フラッシュメモリ / 単方向誤り / 多レベルフラッシュメモリ / 対称誤り |
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| Outline of Annual Research Achievements |
今年度はマルチレベルセルフラッシュメモリ用誤り訂正符号を開発した．マルチレベルセルフラッシュメモリではフローティングゲートに蓄積された電化によって変化するトランジスタのオン電圧を複数レベルで認識することにより1セルで複数ビットのデータを記憶する．大半の誤りは蓄積電荷の変化によるオン電圧の変化によるもので隣接レベルへの誤りが大半である．また，複数セルに誤りが生じる場合は誤りの方向（オン電圧が上がる方向か下がる方向化）が同一になることがわかっている．以上をまとめると，マルチレベルセルフラッシュメモリでは多値の単方向誤りでさらに誤りの大きさが制限された誤りが生じると考えられる．
提案手法では多値情報を要素数の少ない体に写像してその体の上で誤り訂正符号を構成する．要素数の少ない体に写像して符号を構成することにより符号化の効率を上げることができる．さらに本年度は確率は低いものの双方向の誤りも生じることを考慮して，単方向と双方向の両方の誤りを制御する符号の構成を提案している．さらに得られた符号に対する評価も行った．検査長は対称誤りを訂正する符号に比べて短くなる．また，情報シンボルをより位数の少ない体へ写像してから符号化・復号を行っているので，符号化・復号の複雑度が小さくなる．
さらに，符号機能の体系化を検討を開始した．本符号は単方向誤りと対称誤りの両者を制御する符号である．この符号の構成法を特殊化することにより単方向誤り制御符号および対称誤り制御符号が得られないか検討するとこれらの符号の理論構造が明らかになることが期待される．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
現在はフラッシュメモリ用の符号を具体的に開発している．今後も数種類の符号を開発し，それらの符号を体系化して理論構造を明らかにする予定である．
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| Strategy for Future Research Activity |
その他の機能の符号を数種類開発し，符号機能を体系化する．
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| Causes of Carryover |
年度初めに物品の価格や出張先などが不確定のままで見積もったので実際との誤差が生じた．
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
経費の見積もり誤差で経費が不足した場合に備える．
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