2015 Fiscal Year Research-status Report
マルチワイヤソーによる電子素子材料の鏡面スライシング加工に関する研究
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26420061
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
諏訪部 仁 金沢工業大学, 工学部, 教授 (40202139)
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2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 切削・研削加工 / スライシング加工 / 遊離砥粒 / マルチワイヤソー / 延性モード加工 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本申請課題はワイヤソーで用いるピアノ線ワイヤの表面を樹脂コーティングしたものを工具として用い，加工に際してはダイヤモンドスラリー（ダイヤモンド砥粒と特殊専用加工液を懸濁した加工液）を供給しながらスライシング加工する方法である．今年度は昨年に引き続いてSiとSiCの2種類の材料に対して以下のことを検討した．
◎Si
昨年度は加工台と工作物の接合部分でワイヤが暴れることを見い出し，接着剤のガラス転移点が高井方が切断性が優れることを見出した．それに続けて，今年度の研究では接着剤に各種フィラーを混合させた場合の切断性を検討し，φ5μmのシリカ粒子を接着剤に混合させると，その切断性は更に優れることを見出した．
◎SiC
昨年度は#5,000のダイヤモンド砥粒を用いた時に従来の遊離砥粒法の2倍態度の切断速で加工できることを見出した．それに続けて今年度は加工精度の向上に着目して実験した．そして，280μm厚みのウェハーを30μm程度の精度で切断できる切断条件を見出した．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
Siの切断では，50×60×10mm程度のサイズのシリコンの切断試験を行い，そのときに明らかとなった接着剤の問題もあらかた解決できた．そのため，現時点での進捗に問題は感じられない．
SiCの切断では，当初加工能率を上げるために加工液にケミカル効果を添加することも予定にしていたが，通常の切断速度よりも高速で厚さ280μm程度のウエハの切断にも成功しているので，計画に若干の変更はあるが，本加工方式の実用化への進捗としては問題ないと判断される．
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| Strategy for Future Research Activity |
Siの切断では丸形のシリコンインゴットをスライシング加工した祭の加工特性を実験的に検討し，実用化の可能性を探る
SiCの切断では加工精度の更なる向上に起因する加工条件を実験的に検討し，実用化への可能性を探る．
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| Causes of Carryover |
本研究では，工作物の購入費が高額となるため，今年度の残金を次年度に回し，工作物の購入費に充てるため，繰り越した．
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
繰り越した金額と次年度の交付金を合わせて材料の購入をする予定である．
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