2014 Fiscal Year Research-status Report
有機半導体/無機半導体へテロ接合及び有機半導体ヘテロ接合の研究
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26420283
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Research Institution | Osaka Electro-Communication University |
Principal Investigator |
松浦 秀治 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (60278588)
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Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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Keywords | 有機半導体 / 薄膜 / 有機半導体/無機半導体ヘテロ接合 / 有機半導体/有機半導体へテロ接合 / 欠陥評価 |
Outline of Annual Research Achievements |
スピンコート法による有機半導体薄膜と単結晶シリコンとのヘテロ接合の研究を行うために、n型シリコン単結晶(抵抗率:< 0.02 Ω・cm、1-3Ω・cm、5-10 Ω・cm)及びp型シリコン単結晶(抵抗率:< 0.02 Ω・cm、1-3Ω・cm、10-15 Ω・cm)を購入した。さらに、シリコンウェハを洗浄するために、超純水製造装置を購入した。 本研究課題は、有機薄膜太陽電池、有機EL発光素子、有機薄膜トランジスタに用いられる有機半導体薄膜の電気特性を詳細に評価し、これらの素子を改善することである。したがって、有機半導体薄膜と単結晶シリコンとのヘテロ接合を用いて、有機半導体薄膜を詳細に評価することであり、まず有機薄膜太陽電池に相応しい有機薄膜の作製方法を検討し、良好な有機薄膜太陽電池を作製できる条件を求めた。そして、研究対象のp型有機半導体薄膜とn型有機半導体薄膜の成膜条件を求めた。 さらに、今後ヘテロ接合でも用いるインピーダンス分光法(インピーダンスの周波数依存性)による測定及び解析方法の開発を行った。この結果、インピーダンス分光法が有効な手段であることがわかった。 現在、p型有機半導体であるP3HTとn型単結晶シリコンとのヘテロ接合、及びn型有機半導体であるPCBMとp型単結晶シリコンとのヘテロ接合を作製している。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
以下の理由で研究の進捗がやや遅れた。 1.スピンコート法による有機薄膜太陽電池の変換効率が作製の環境(湿度等)に大きく影響するため、有機半導体薄膜の成膜条件を求めるのに時間がかかったこと。 2.シリコンウェハを洗浄する純水の純度の影響に気が付くのが遅くなり、所有していた純水製造装置の使用を止め、超純水製造装置を購入したが、購入時期が遅くなったため。
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Strategy for Future Research Activity |
P3HT/n Siヘテロ接合とPCBM/p Siヘテロ接合の電流-電圧特性及び温度依存性を測定し、伝導機構を研究する。さらに、容量-電圧測定及びインピーダンス分光法による測定を行い、有機半導体薄膜中のドーパント及び欠陥に関する情報を得られる方法を検討する。
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Causes of Carryover |
ヘテロ接合の作製に時間がかかり、有機半導体溶液の使用量がほんの少し少なかったため。
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Expenditure Plan for Carryover Budget |
有機半導体溶液の購入に使用する。
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