2014 Fiscal Year Research-status Report
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26600081
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
森 貴洋 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員 (70443041)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / 電界効果トランジスタ / 励起子発光 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は、遷移金属ダイカルコゲナイド(MX2)を代表する材料である二硫化モリブデン(MoS2)を用いたMOSトランジスタを作製、その電気的特性を評価する基盤を確立するとともに、光学特性評価を実施した。トランジスタ構造としては、電気特性評価の都合上トップゲート型を採用、MoS2に接する絶縁膜としては原子層堆積法(ALD)によって形成した2種のhigh-k材料(Al2O3およびHfO2)を検討している。
電気的測定評価においては、MoS2トランジスタのデバイス面積が小さいことが問題となり、Capacitance-Voltage(C-V)測定に困難があった。しかし測定手法を改善することでfAオーダーの極微小容量を測定する手法を確立することで解決、測定に成功した。C-V測定に成功したことで実効移動度の評価が可能となった。MoS2トランジスタの実効移動度評価に成功している研究機関は少なく、この結果については学会発表を行っている。以上の結果を受けて、本研究でターゲットとするMoS2/絶縁膜界面評価を行う基盤技術を確立し、実際にその評価を実施した。
また、光学特性評価としては、micro-Photoluminescence(micro-PL)法による評価を実施した。室温でのmicro-PL測定において強い励起子発光が観測された。得られた発光は試料によって強度差が見られており、現在その起因について検討を進めている。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
本研究ではMX2/絶縁膜界面の特性と、発光特性との両者を評価する。本年度は当初の目的通り、これらの測定基盤を確立、その評価に成功しており、おおむね順調に進展しているものと考えている。
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| Strategy for Future Research Activity |
次年度は当初の計画に基づき、界面特性と発光特性との相関について検討を進め、発光強度の増大策の検討を進めていく。
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| Causes of Carryover |
実験消耗品に用いる経費が、予定より少なく済んだため。
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| Expenditure Plan for Carryover Budget |
実験消耗品の購入に用いる。
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